FF600R12IP4
FF600R12IP4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:PRIME2-8,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:8; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:600 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389...
IRGS10B60KDTRLP
IRGS10B60KDTRLP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:22 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
NGTB15N120FLWG
NGTB15N120FLWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
STGW40NC60V
STGW40NC60V,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRF6726M
IRF6726M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGFW80V60F
STGFW80V60F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3PF-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 ...
ATF-55143-TR2G
ATF-55143-TR2G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:100 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; ...
NE3210S01-T1B
NE3210S01-T1B,场效应晶体管,品牌:Renesas,封装:Case-4 S01,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询...
IRGB5B120KDPBF
IRGB5B120KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
AUIRGF65G40D0
AUIRGF65G40D0,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:62 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报价...
IRF5305
IRF5305,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Qg Typ=42.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=110W,Id@TC 25C=-31A...
IRGR4610DPBF
IRGR4610DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及购买请...
BSM50GB170DN2
BSM50GB170DN2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 34MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:72 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRF630N
IRF630N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=300.0mOhms,Id=9.5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IGA03N120H2XKSA1
IGA03N120H2XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:3 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:075...
IRGPS4067DPBF
IRGPS4067DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:Super-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:240 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
STGP10NC60S
STGP10NC60S,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:21 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:...
IRF6797M
IRF6797M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,Id=210A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FB20R06XE3
FB20R06XE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:EASY1-18,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:18; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:27 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRFR5410
IRFR5410,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=205.0mOhms,Qg Typ=38.7nC,Rth(JC)=1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C=66W,Id@TC 25C=13A,库...