IRFHM830D
IRFHM830D,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.3mOhms,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
- Description：N-channel Power MOSFET with Schottky
- 品牌：IR
- 封装：PQFN 3.3 x 3.3
- 描述：集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
