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TLV1391IDBVT

TLV1391IDBVT ,具有集电极开路输出的单路差动比较器,TI原厂生产,SOT-23-5封装,参数为:1 路, 输出类型:Open Collector, 典型响应时间:0.65 us,最小单电源电压:2 V,最大单电源电压:7 V,温度范围:-40 to 85 ℃,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...

P6SMB82AT3G

P6SMB82AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70.1V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...

REG103FA-A/500

REG103FA-A/500,单输出 LDO、500mA、可调节电压(1.295 至 5.5V)、低噪声、快速瞬态响应,品牌:TI,封装:TO263-6,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:2.1 V,最大输入电压:15 V,最大输出电流:0.5 A,输出电压:1.29...

DXT3150-13

DXT3150-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:250@500mA@2V|150@2A@2V|50@5A@2V; 最大工作频率:220(Typ) MHz; 最大集...

1.5SMC480AHE3_A/H

1.5SMC480AHE3_A/H, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 408V 1500W,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流...

525R-02ILFT

525R-02ILFT,射频IC,锁向环,PLL Clock Multiplier Single,品牌:IDT,封装:28QSOP,咨询购买请致电:0755-83897562

TAZE685K020CBSB0900

TAZE685K020CBSB0900,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: E型,参数:容值: 6.8 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 5 Ohm;外形尺寸: 5.08*1.27*2.54 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389756...

TAJB225M020HNJ

TAJB225M020HNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 2.2 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 3.5 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...

SMBJ54CE3

SMBJ54CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 54V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流: ...

P6SMB100A-E3

P6SMB100A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85.5V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.4 A; 最大反向漏电流: 1...

NGAW5221S2R510GS1TRF

NGAW5221S2R510GS1TRF,天线,Antenna Chip Multilayer -0.5dBi 2510MHz,品牌:NIC,封装:2SMD,咨询购买请致电:0755-83897562

A54SX08-1VQG100

A54SX08-1VQG100,现场可编程门阵列(FPGA),8K Gates,512 Cells,280MHz,0.35um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,VQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:SX,逻辑门数量(Gates):8000,逻辑单元数量(Cel...

ER136C-26A/Q

ER136C-26A/Q,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,26.5V,2.598KOhm,品牌:Teledyne,参数:类型:Centigrid Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC/0.25AC A; DC直流线圈电压:26.5 V; 线...

RN1102,LF(CT)

RN1102,LF(CT),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:SSM-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...

LM78L15ACZ/NOPB

LM78L15ACZ/NOPB,3 端子正电压稳压器,0.1A,15V,品牌:TI,封装:TO92-3,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:16.7 V,最大输入电压:35 V,最大输出电流:0.1 A,输出电压:15 V,最大功耗:750 mW,精度:±5 %,线性调...

IRG7PH42UD2-EP

IRG7PH42UD2-EP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询...

TL3472QDRQ1

TL3472QDRQ1 ,汽车类高转换率、单电源运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:4 MHz,典型转换速率:10@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:9@5V mA,最大输入失调电压:16@5V mV,最大输入偏置电流:0.5@±15V uA,典型输入噪声...

1N6116US

1N6116US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.4 A; 最大反向漏电流...

5962-8980701RA

5962-8980701RA,射频IC,调制解调器,Balanced Mod/Dmod,品牌:ADI(Analog Devices),封装:20SBCDIP,咨询购买请致电:0755-83897562

SMLJ36AE3

SMLJ36AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 51.6 A; 最大反向漏电...