NGTB15N120LWG
NGTB15N120LWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRF7473PBF-1
IRF7473PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=26.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7936
IRFH7936,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 A封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,Id=76A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TGI7785-50L
TGI7785-50L,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 7-AA04A,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:50 V; 最大连续漏极电流:15000 mA; 最大门源电压:-10 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07...
IRFS3607
IRFS3607,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGPS46160D
IRGPS46160D,IGBT模块(8-30kHz),由IR原厂生产,Super 247 (TO274AA)封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=160A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7911
IRFH7911,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 C封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=4.0mOhms,Rth(JA)=37 (Q2)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5207
IRFH5207,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.6mOhms,Id=71A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AUIRGP50B60PD1E
AUIRGP50B60PD1E,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
NGTB20N135IHRWG
NGTB20N135IHRWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1350 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ℃. 询报...
HGTP14N40F3VL
HGTP14N40F3VL,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:420 V; 最大连续集电极电流:38 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRG4PH40U
IRG4PH40U,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=21A,Vce(ON)@25C typ=2.43V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FF400R12KL4C
FF400R12KL4C,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM-10,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:10; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:650 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389...
IRG7PH30K10DPBF
IRG7PH30K10DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...
STGW35NC120HD
STGW35NC120HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:58 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请...
IKQ100N60TXKSA1
IKQ100N60TXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:160 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175...
IRF3708
IRF3708,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7905
IRF7905,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=21.3mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZ1200R17KF4
FZ1200R17KF4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin,参数:配置:Dual Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:1200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:...
IRG4PC50UDPBF
IRG4PC50UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:55 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...