IRF9328
IRF9328,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.9mOhms,RDS(on) Max 4.5V=19.7mOhms,Qg Typ=18.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
IRF9Z34NL
IRF9Z34NL,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Qg Typ=23.3nC,Rth(JC)=2.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=68W,Id@TC 25C=-19A...
IRFU6215
IRFU6215,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=580mOhms,Qg Typ=44nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=110W,Id@TC 25C=-9A,库存实时...
IRF6215
IRF6215,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=290.0mOhms,Qg Typ=44.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=110W,Id@TC 25C=-1...
MMBFJ177LT1G
MMBFJ177LT1G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRF7205PBF-1
IRF7205PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=70.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=130.0mOhms,Qg Typ=27nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致...
IRFR9024N
IRFR9024N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=175.0mOhms,Qg Typ=12.7nC,Rth(JC)=3.3K/W,Power Dissipation@TC 25C=38W,Id@TC 25C=11A,库...
IRLML6401
IRLML6401,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-12V,VGs=8V,RDS(on) Max 4.5V=50.0mOhms,Qg Typ=10.0nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7420
IRF7420,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-12V,VGs=8V,RDS(on) Max 4.5V=14.0mOhms,Qg Typ=38.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML5203
IRLML5203,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=98.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=165.0mOhms,Qg Typ=9.5nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实...
IRF9530N
IRF9530N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,Qg Typ=38.7nC,Rth(JC)=1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C=79W,Id@TC 25C=-1...
IRF5210
IRF5210,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Qg Typ=120.0nC,Rth(JC)=0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C=200W,Id@TC 25C=-...
IRF9Z34NS
IRF9Z34NS,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Qg Typ=23.3nC,Rth(JC)=2.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=68W,Id@TC 25C=19A,...
IRF9540NS
IRF9540NS,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=117.0mOhms,Qg Typ=64.7nC,Rth(JC)=1.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=3.8W,Id@TC 25C=-2...
IRLML2244
IRLML2244,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=54.0mOhms,Qg Typ=6.9nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP9140N
IRFP9140N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=117.0mOhms,Qg Typ=64.7nC,Rth(JC)=1.3K/W,Power Dissipation@TC 25C=120W,Id@TC 25C=...
IRF7524D1
IRF7524D1,集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=270.0mOhms,Qg Typ=5.4nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFTS9342
IRFTS9342,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=66.0mOhms,Qg Typ=12.0nC,Rth(JC)=62.5 (JA)K/W,库...
IRF5305
IRF5305,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Qg Typ=42.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=110W,Id@TC 25C=-31A...
IRF7425PBF-1
IRF7425PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=8.2mOhms,Qg Typ=87.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562