IRFU6215
IRFU6215,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=580mOhms,Qg Typ=44nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=110W,Id@TC 25C=-9A,库存实时...
IRF7240
IRF7240,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=25.0mOhms,Qg Typ=73.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
MMBFJ270_R1_00001
MMBFJ270_R1_00001,场效应晶体管,品牌:Panjit,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IRF7205PBF-1
IRF7205PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=70.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=130.0mOhms,Qg Typ=27nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致...
IRF7404
IRF7404,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=40.0mOhms,Qg Typ=33.3nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR6215
IRFR6215,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=580.0mOhms,Qg Typ=44.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=110W,Id@TC 25C=13A,...
IRLMS5703
IRLMS5703,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=400.0mOhms,Qg Typ=7.2nC,Rth(JC)=75 (JA)K/W,库存...
IRFH9310
IRFH9310,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 A封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.6mOhms,RDS(on) Max 4.5V=7.1mOhms,Qg Typ=58.0nC,Rth(JC)=1.6K/W,Id@TC 25C=-40A...
IRF6217
IRF6217,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2400.0mOhms,Qg Typ=6.0nC,Rth(JC)=20K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J175_D26Z
J175_D26Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-838975...
IRF5805
IRF5805,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=98.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=165.0mOhms,Qg Typ=11.0nC,Rth(JC)=62.5 (JA)K/W,库存...
IRLML6402TRPBF-1
IRLML6402TRPBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=65.0mOhms,Qg Typ=8.0nC,Rth(JC)=75 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...
IRLMS6702PBF-1
IRLMS6702PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=200.0mOhms,Qg Typ=5.8nC,Rth(JC)=75 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...
IRF7726
IRF7726,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=26.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=40.0mOhms,Qg Typ=46.0nC,Rth(JC)=70 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电...
IRLML2246
IRLML2246,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=135.0mOhms,Qg Typ=2.9nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9Z34N
IRF9Z34N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Qg Typ=23.3nC,Rth(JC)=2.7K/W,Power Dissipation@TC 25C=56W,Id@TC 25C=-17...
IRFR5305
IRFR5305,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=65.0mOhms,Qg Typ=42.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=89W,Id@TC 25C=-28A,库存...
IRF9Z34NL
IRF9Z34NL,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Qg Typ=23.3nC,Rth(JC)=2.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=68W,Id@TC 25C=-19A...
IRF5210S
IRF5210S,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Qg Typ=120.0nC,Rth(JC)=0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C=170W,Id@TC 25C=-4...
PMBFJ175,215
PMBFJ175,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....