IRG4BC30FDPBF
IRG4BC30FDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:31 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRLHS6276
IRLHS6276,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=45mOhms,Rth(JA)=86C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM200GB120DLC
BSM200GB120DLC,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 62MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:420 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
STGW50H60DF
STGW50H60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...
IRF6648
IRF6648,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MN封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,Id=86A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SKB02N60
SKB02N60,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IHW20N65R5XKSA1
IHW20N65R5XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ...
FGA30N120FTD
FGA30N120FTD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3PN-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
FS300R12OE4BOSA1
FS300R12OE4BOSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:29-Pin ECONOPP,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:29; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:460 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40...
IRG4BC20W-SPBF
IRG4BC20W-SPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:13 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRF6612
IRF6612,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SGB30N60ATMA1
SGB30N60ATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
IHW15T120FKSA1
IHW15T120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF1010Z
IRF1010Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.5mOhms,Id=94A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1104L
IRF1104L,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC25B120KB
IRGC25B120KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=2.28V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7PH42U
IRG7PH42U,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=60A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFML8244
IRFML8244,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=24.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SKW30N60HS
SKW30N60HS,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
IRGS4620D
IRGS4620D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=20A,Vce(ON)@25C typ=1.55V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562