ATF-541M4-TR2
ATF-541M4-TR2,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:Mini-PAK-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:120 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:5 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:S...
IRFR825
IRFR825,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=500V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1300.0mOhms,Id=6.0A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8010S
IRF8010S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR3910
IRFR3910,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=115.0mOhms,Id=15A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM8235
IRFHM8235,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.7mOhms,Id=50A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR7540
IRFR7540,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7434
IRFB7434,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.6mOhms,Id=317A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7201
IRF7201,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=30.0mOhms,Id=7.0A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLI3705N
IRLI3705N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=10.0mOhms,Id=47A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR120Z
IRFR120Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=190.0mOhms,Id=8.7A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP064N
IRFP064N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.0mOhms,Id=98A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6785
IRF6785,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=19A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6717M
IRF6717M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.25mOhms,Id=220A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK3666-4-TB-E
2SK3666-4-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大门源电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRFP3206
IRFP3206,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.0mOhms,Id=200A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1404L
IRF1404L,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,Id=162A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J107
J107,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFHM4234
IRFHM4234,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.4mOhms,Id=63A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR8259
IRLR8259,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.7mOhms,Id=57A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4416A-E3
2N4416A-E3,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-206AF-4,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:-35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8389...