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J111

J111,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562

IRFB7434

IRFB7434,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.6mOhms,Id=317A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

MMBF5485

MMBF5485,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

IRF6716M

IRF6716M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,批号2019年,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.6mOhms,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFS52N15D

IRFS52N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=32.0mOhms,Id=60A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFH7110

IRFH7110,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,批号2019年,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,Id=58A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

ATF-541M4-BLK

ATF-541M4-BLK,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:Mini-PAK-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:120 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:5 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:S...

CLF1G0035-50,112

CLF1G0035-50,112,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-467C-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150 V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562

2SK3557-6-TB-E

2SK3557-6-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大门源电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...

IRL520NS

IRL520NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=180.0mOhms,Id=10A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFB4510

IRFB4510,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,Id=62A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFHM4231

IRFHM4231,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,批号2019年,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.4mOhms,Id=72A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

BF862,215

BF862,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:20 V; 最大连续漏极电流:40 mA; 最大门源电压:-20 V; 最大漏极栅极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 目...

IRF7807Z

IRF7807Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,批号2019年,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.8mOhms,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF6622

IRF6622,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,批号2019年,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.3mOhms,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFB7787

IRFB7787,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=76A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF7807

IRF7807,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,批号2019年,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IRLU024N

IRLU024N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=65mOhms,Id=11A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

MMBF4117

MMBF4117,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897...

IRLS3036-7P

IRLS3036-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,批号2019年,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=1.9mOhms,Id=300A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562