J111
J111,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFB7434
IRFB7434,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.6mOhms,Id=317A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF5485
MMBF5485,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF6716M
IRF6716M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,批号2019年,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.6mOhms,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS52N15D
IRFS52N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=32.0mOhms,Id=60A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7110
IRFH7110,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,批号2019年,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,Id=58A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-541M4-BLK
ATF-541M4-BLK,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:Mini-PAK-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:120 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:5 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:S...
CLF1G0035-50,112
CLF1G0035-50,112,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-467C-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150 V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
2SK3557-6-TB-E
2SK3557-6-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大门源电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRL520NS
IRL520NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=180.0mOhms,Id=10A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4510
IRFB4510,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,Id=62A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM4231
IRFHM4231,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,批号2019年,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.4mOhms,Id=72A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
BF862,215
BF862,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:20 V; 最大连续漏极电流:40 mA; 最大门源电压:-20 V; 最大漏极栅极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 目...
IRF7807Z
IRF7807Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,批号2019年,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.8mOhms,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6622
IRF6622,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,批号2019年,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.3mOhms,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7787
IRFB7787,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=76A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7807
IRF7807,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,批号2019年,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLU024N
IRLU024N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=65mOhms,Id=11A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF4117
MMBF4117,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897...
IRLS3036-7P
IRLS3036-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,批号2019年,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=1.9mOhms,Id=300A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562