IRF530NS
IRF530NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=90.0mOhms,Id=17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB3607
IRFB3607,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TMD0608-4
TMD0608-4,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:16-Pin 7-BA25A,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:3000 mA; 最大门源电压:-5 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF6609
IRF6609,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLH6224
IRLH6224,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3610S
IRF3610S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.6mOhms,Id=103A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR3410
IRLR3410,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=105.0mOhms,Id=15A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TF412ST5G
TF412ST5G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-883-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大门源电压:-1.5 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
IRFR2307Z
IRFR2307Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=53A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5104
IRFH5104,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.5mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL1404ZS
IRL1404ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=3.1mOhms,Id=200A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU220N
IRFU220N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=600mOhms,Id=3.5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL7734
IRFSL7734,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.5mOhms,Id=183A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7437-7P
IRFS7437-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,Id=295A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7834
IRF7834,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4410Z
IRFB4410Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=97A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1018E
IRF1018E,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=79A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3515S02-T1C-A
NE3515S02-T1C-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:88 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
IRFHM8334
IRFHM8334,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP150M
IRFP150M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=36.0mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562