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IRG4PC50FD

IRG4PC50FD,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,批号2019年,参数为:Vces=600V,Ic@100C=39A,Vce(ON)@25C typ=1.45V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF7309

IRF7309,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,批号2019年,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=80.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=160.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=50.0mOhms,RDS(on)1...

IRLML5203

IRLML5203,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=98.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=165.0mOhms,Qg Typ=9.5nC,Rth(JC)=100 (JA...

ATF-55143-TR1G

ATF-55143-TR1G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:100 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; ...

IRGB4610D

IRGB4610D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:Vces=600V,Ic@100C=10A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF9520N

IRF9520N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=480.0mOhms,Qg Typ=18.0nC,Rth(JC)=3.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=48W,Id@T...

IRLR2908

IRLR2908,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrds=80V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=28.0mOhms,Id=39A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

2N4392-E3

2N4392-E3,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-206AA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

IRG4BC30KD-SPBF

IRG4BC30KD-SPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:28 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...

IRGS4064DTRLPBF

IRGS4064DTRLPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报价...

FF600R12ME4CB11BOSA1

FF600R12ME4CB11BOSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:ECONOD-11,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:11; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:1060 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-4...

IKQ100N60TXKSA1

IKQ100N60TXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:160 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175...