IRF1310NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=36.0mOhms,Id=42A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5302,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,批号2019年,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.1mOhms,Id=100A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
GT15Q102,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Toshiba,封装:TO-3PN-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:15 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
F4-150R12KS4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:26-Pin ECONO 3,参数:配置:Quad; 通道类型:N; 引脚数目:26; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:180 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0...
FP15R12W1T3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:23-Pin EASY1B,参数:配置:Array 7; 通道类型:N; 引脚数目:23; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0...
IRGC49B120UB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,批号2019年,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=3.39V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
FZ1200R17KF4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin,参数:配置:Dual Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:1200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:...
IRFB7546,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.3mOhms,Id=53A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
FGH50N6S2D,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRFY140,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-257AA封装,批号2019年,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=77.0mOhms,Id=16A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IKB06N60TATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
IGW30N60H3,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IRFZ46N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.5mOhms,Id=46A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
RJH60F4DPQ-A0#T0,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:TO-247A-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFH8307,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,批号2019年,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.3mOhms,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5020,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,批号2019年,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=55.0mOhms,Id=43A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4066PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:140 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
FP50R12KT3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 目前库存现货,询报价及购买请致...
MMBF4392,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897...
IRFB7440,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,Id=208A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
产品展示
Product show