IRG4PC50W
IRG4PC50W,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=27A,Vce(ON)@25C typ=1.93V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ44ZL
IRFZ44ZL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.9mOhms,Id=51A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGS15B60KPBF
IRGS15B60KPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:31 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFZ46NL
IRFZ46NL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.5mOhms,Id=37A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF4091
MMBF4091,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FS300R12OE4PNOSA1
FS300R12OE4PNOSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:460 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 to 150 ℃. 询报价及购...
IGB30N60TATMA1
IGB30N60TATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRF6645
IRF6645,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SJ封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=35.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PH40UD2-EP
IRG4PH40UD2-EP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
DF400R12KE3
DF400R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:5-Pin 62MM,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:5; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:580 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFTS8342
IRFTS8342,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=19.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW25H120F2
STGW25H120F2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55...
IRG4PC50UD
IRG4PC50UD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=27A,Vce(ON)@25C typ=1.65V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3205S
IRF3205S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.0mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR7843
IRLR7843,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=161A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AUIRG4BC30SSTRR
AUIRG4BC30SSTRR,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:34 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
FGH40T65SHD_F155
FGH40T65SHD_F155,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 17...
FZ1600R12KL4C
FZ1600R12KL4C,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM-7,参数:配置:Dual Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:2450 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式...
IRL2505
IRL2505,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=8.0mOhms,Id=104A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGS4615D
IRGS4615D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=15A,Vce(ON)@25C typ=1.55V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562