IGA03N120H2XKSA1
IGA03N120H2XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:3 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:075...
MMBFJ271
MMBFJ271,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG4RC20FPBF
IRG4RC20FPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:22 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRLML9301
IRLML9301,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=64.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=103.0mOhms,Qg Typ=4.8nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实...
IRGP50B60PD
IRGP50B60PD,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=42A,Vce(ON)@25C typ=2.00V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGPS40B120UDP
IRGPS40B120UDP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-274AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
DD800S17H4B2BOSA1
DD800S17H4B2BOSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM-B-7,参数:配置:Dual Parallel; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:800(Typ) A; 最大栅极发射极电压:-15 V; 安装方式:Screw; ...
IRFSL3206
IRFSL3206,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.0mOhms,Id=210A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGB35N35LZ-1
STGB35N35LZ-1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:I2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:380 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:16 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:...
IRFS4020
IRFS4020,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=105.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ46Z
IRFZ46Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.6mOhms,Id=51A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM25GP120
BSM25GP120,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONoPIM2,参数:配置:Array 7; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:1600 V; 最大连续集电极电流:45 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电...
FS450R12KE4
FS450R12KE4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-29,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:29; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:675 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRG4CC50WB
IRG4CC50WB,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.93V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGB15B60KDPBF
IRGB15B60KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:31 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
STGFW40V60DF
STGFW40V60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3PF-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 ...
IHW30N60TFKSA1
IHW30N60TFKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
STGB6NC60HDT4
STGB6NC60HDT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:15 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致...
IRFL024N
IRFL024N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=75.0mOhms,Id=4.0A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR9N20D
IRFR9N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=380.0mOhms,Id=9.4A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562