IRF7815
IRF7815,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=43.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML6401TRPBF-1
IRLML6401TRPBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-12V,VGs=8V,RDS(on) Max 4.5V=50.0mOhms,Qg Typ=10.0nC,Rth(JC)=75 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...
IRF7425PBF-1
IRF7425PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=8.2mOhms,Qg Typ=87.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKW30N60TFKSA1
IKW30N60TFKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF7103PBF-1
IRF7103PBF-1,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VGs Max=20V,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7342PBF-1
IRF7342PBF-1,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=170mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SGB02N120
SGB02N120,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:6.2 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:07...
J106
J106,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF7503
IRF7503,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=222mOhms,Rth(JA)=100C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PC50UD-EPBF
IRG4PC50UD-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:55 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRGP4660D-EPBF
IRGP4660D-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询...
FZ400R33KL2C_B5
FZ400R33KL2C_B5,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHV73-5,参数:配置:Single Dual Collector Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:5; 最大集电极发射极电压:3300 V; 最大连续集电极电流:750 A; 最大栅极发射极电压:±20 V...
IRG4BH20K-LPBF
IRG4BH20K-LPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-262-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:11 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IHD10N60RAATMA1
IHD10N60RAATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175...
FGA20S120M
FGA20S120M,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3P(N)-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRF7807VPBF-1
IRF7807VPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4CC80UD
IRG4CC80UD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM20GD60DLC
BSM20GD60DLC,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:17-Pin ECONoPACK 2A,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:17; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:32 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电...
IRGC15B120UB
IRGC15B120UB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=15A,Vce(ON)@25C typ=3.67V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW30NC120HD
STGW30NC120HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请...