TTK101MFV-A,L37F(B)
TTK101MFV-A,L37F(B),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:2 V; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRFS7430
IRFS7430,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.3mOhms,Id=409A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4BC30KDSTRLP
IRG4BC30KDSTRLP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:28 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
FD600R16KF4
FD600R16KF4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM130-10,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:10; 最大集电极发射极电压:1600 V; 最大连续集电极电流:600 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFIZ34N
IRFIZ34N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=19A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS25R12KT3
FS25R12KT3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:28-Pin ECONO 2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:28; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
FZ3600R12KE3
FZ3600R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM190-9,参数:配置:Triple Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:4700 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; ...
MMBF5458
MMBF5458,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG7CH44K10EF
IRG7CH44K10EF,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=1.90V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IGP15N60TXKSA1
IGP15N60TXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFB3004
IRFB3004,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.75mOhms,Id=340A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ44E
IRFZ44E,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=23.0mOhms,Id=48A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGD14NC60KT4
STGD14NC60KT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电...
IRGSL15B60KD
IRGSL15B60KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=15A,Vce(ON)@25C typ=1.80V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL530NS
IRL530NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6216PBF-1
IRF6216PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=240.0mOhms,Qg Typ=33nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR15N20D
IRFR15N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=165.0mOhms,Id=17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB3607
IRFB3607,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FT150R12KE3_B5
FT150R12KE3_B5,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:18-Pin ECONO 2,参数:配置:Triple; 通道类型:N; 引脚数目:18; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请...
SGP15N60XKSA1
SGP15N60XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:31 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...