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VS-12TTS08STRRPBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:D2PAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:30 mA; 额定平均通态电流:8 A; 浪涌电流额定值:140 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.2@8A V; 重复峰值断态电流:0.05 mA; 最大栅极触发电压:1 V; 最大门极触发电流:15 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
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MBR10200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.05mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10100FCT
MBR10100FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1050
MBR1050,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=50V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1060CT
MBR1060CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2060CT
MBR2060CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR860
MBR860,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=8A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD20150CT
MBRD20150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=20A,Vr=150V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1035CT
MBR1035CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AHN121X0J
AHN121X0J,继电器,SPDT,10ADC/16AAC,100VDC,18.87KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10DC|16AC A; DC直流线圈电压:100 V; 线圈电流:5.3 mA; 线圈电阻:18.87 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ14005J
ADJ14005J,继电器,SPDT,16A,5VDC,100Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:50 mA; 线圈电阻:100 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ASX210A09J
ASX210A09J,继电器,DPDT,0.01A,9VDC,2.314KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Sensitivity Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.01 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:3.9 mA; 线圈电阻:2.314 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:10 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN200S24
AGN200S24,继电器,DPDT,1A,24VDC,2.504KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:9.6 mA; 线圈电阻:2.504 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGQ200S03Z
AGQ200S03Z,继电器,DPDT,2A,3VDC,64.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:46.7 mA; 线圈电阻:64.2 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246D-320A1-28V-021M
BR246D-320A1-28V-021M,继电器,DPDT,10A,28V,320Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:87.5 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-290B1-28V-018M
BR230-290B1-28V-018M,继电器,4PDT,10A,28V,290Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:96.55 mA; 线圈电阻:290 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1ATP12J
CB1ATP12J,继电器,SPST-NO,40A,12VDC,103Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:40 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:117 mA; 线圈电阻:103 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
APF30224
APF30224,继电器,SPDT,6A,24VDC,3.388KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:6 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:7.1 mA; 线圈电阻:3.388 KOhm; 触点材质:Silver Nickel; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN122X0J
AHN122X0J,继电器,SPDT,10ADC/16AAC,100VDC,18.87KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10DC|16AC A; DC直流线圈电压:100 V; 线圈电流:5.3 mA; 线圈电阻:18.87 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGQ210S03J
AGQ210S03J,继电器,DPDT,2A,3VDC,90Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:90 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARA210A06J
ARA210A06J,继电器,DPDT,1A,6VDC,514Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:11.7 mA; 线圈电阻:514 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
A3212EEHL-T
A3212EEHL-T,霍尔传感器,由ALLEGRO原厂生产,DIP封装,参数描述:类型:微功耗超灵敏,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SM5651-001-D-3-LR
SM5651-001-D-3-LR,力敏传感器,由SMI原厂生产,SMD8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATS674
ATS674,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:组合型带磁钢齿轮型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-3307-001DA
MPS-3307-001DA,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ITR-9608
ITR-9608,凹槽型开关,由EVERLIGHT原厂生产,GAP5-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长24.4mm宽6.0mm高10.0mm,槽宽3.1mm,光缝宽1mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MC106
MC106,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPXV2010DP
MPXV2010DP,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPX2010GP
MPX2010GP,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-3118-006GC
MPS-3118-006GC,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,SOP-6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-3113-006GC
MPS-3113-006GC,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,SOP-6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPXHZ6115A6U
MPXHZ6115A6U,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OHW205E
OHW205E,霍尔传感器,由SDK原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HPI-6FFR2
HPI-6FFR2,光电二极管,由KODENSHI原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SPD1510
SPD1510,硅光电池管,由CN原厂生产,TOP15X10封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插3PIN芯片6mmX6mm,方平波长250-560nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TMC-1C55-648
TMC-1C55-648,光电二极管,由TrueLight原厂生产,TOP-DIP5封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
S1136-44BK
S1136-44BK,硅光电池管,由HAMAMATSU原厂生产,TOP8.1-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN波长320-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HP-3C
HP-3C,硅光电池管,由CN原厂生产,TOP2X2-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GL560
GL560,红外发射管,SHARP原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LD271H
LD271H,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TFDU6103F
TFDU6103F,红外数据头,由VISHAY原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VBPW34FAS
VBPW34FAS,硅光电池管,由VISHAY原厂生产,3X3-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,贴片2PIN,波长780-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CND0214A
CND0214A,红外数据头,由PANASONIC原厂生产,8.2X2.05封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VBP104FAS
VBP104FAS,硅光电池管,由VISHAY原厂生产,3X3-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,贴片2PIN,波长780-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PS5132
PS5132,光纤收发头,由STANLEY原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE12CAHE3
1.5KE12CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 89.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 16.7 V; 最大反向关态电压: 10.2 V; 最小击穿电压: 11.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP54E3
5KP54E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 52 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 96.3 V; 最大反向关态电压: 54 V; 最小击穿电压: 60 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6133A
1N6133A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 98.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 178.8 V; 最大反向关态电压: 98.8 V; 最小击穿电压: 123.5 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6476
1N6476, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 107 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 78.5 V; 最大反向关态电压: 51.6 V; 最小击穿电压: 54 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
SA33ARLG
SA33ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 53.3 V; 最大反向关态电压: 33 V; 最小击穿电压: 36.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6158A
1N6158A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 35.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 64.6 V; 最大反向关态电压: 35.8 V; 最小击穿电压: 44.7 V; 测试电流: 25 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TMPG06-43AHE3
TMPG06-43AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36.8V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 6.7 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 59.3 V; 最大反向关态电压: 36.8 V; 最小击穿电压: 40.9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP75CE3
5KP75CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 75V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 37 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 134 V; 最大反向关态电压: 75 V; 最小击穿电压: 83.3 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6170
1N6170, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 114V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 216.2 V; 最大反向关态电压: 114 V; 最小击穿电压: 135 V; 测试电流: 8 mA; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6274AG
1N6274AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11.1V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 18.2 V; 最大反向关态电压: 11.1 V; 最小击穿电压: 12.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP15AHE3
5KP15AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 205 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 24.4 V; 最大反向关态电压: 15 V; 最小击穿电压: 16.7 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6155A
1N6155A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 27.4V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30.1 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 49.9 V; 最大反向关态电压: 27.4 V; 最小击穿电压: 34.2 V; 测试电流: 30 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C390JB5NNNC
CL05C390JB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值39 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C4R3BB8NNNC
CL10C4R3BB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值4.3 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C7R5CB8NNNC
CL10C7R5CB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值7.5 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C331JHFNNNF
CL31C331JHFNNNF,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值330 pF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C101JCCNNNC
CL31C101JCCNNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值100 pF,电压100 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C030CBANNNC
CL21C030CBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C181JB8NNNC
CL10C181JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值180 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C331JC8NNNC
CL10C331JC8NNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值330 pF,电压100 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C110JB8NNNC
CL10C110JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值11 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C020CB5NNNC
CL05C020CB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
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CL10C050DB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值5 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 0.5 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
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CL10C1R5CB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.5 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562