SKY65015-92LF,射频运放芯片,RF Amp Chip Single Cascadable Amp 6GHz 5V,品牌:Skyworks,封装:6SC-88,库存现货,咨询购买请致电:0755-83897562
TPS76530DG4,超低静态电流 150mA,3V输出,LDO 线性稳压器,品牌:TI,封装:SOIC-8,批号:2019年,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:10 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:3 V,最大功耗:904 mW,典型压差电压@电流:0.16@150mA V,精度:±3 %,线性调整:0.01(Typ) %/V,负载调节:0.3(Typ) %,最大静态电流:0.05 mA,工作温度:-40 to 125℃,封装类型:Surface Mount,电压输出类型:Fixed,是否抗辐射:No,附加功能:Enable, Overcurrent Protection, Power Good, Thermal Shutdown.目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
APA750-FGG676I,现场可编程门阵列(FPGA),750K Gates,180MHz,0.22um (CMOS) Technology,2.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-676封装,批号2019年,详细参数为:所属产品系列:ProASICPLUS,逻辑门数量(Gates):750000,系统门数量(System Gates):750000,寄存器数量(Registers):32768,最大内部频率:180 MHz,典型操作电源电压:2.5 V,最大用户输入/输出数量:454,内存RAM位数:147456,在系统可编程技术:Yes,再编程支持:Yes,工作温度:-40 to 85 ℃,速度等级:STD,增强抗辐射性:No,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
R595467215,射频开关,RF Switch SPDT 0MHz to 20GHz 65dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
TLV4111IDGNR ,高输出驱动、低压的单路运算放大器,TI原厂生产,HTSSOP-8 EP封装,生产批号2019年,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:2.7 MHz,典型转换速率:1.57@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:1@5V mA,最大输入失调电压:3.5@5V mV,最大输入偏置电流:0.00005@5V uA,典型输入噪声电压密度:55@5V nV/rtHz,最低CMRR值:68(Typ) dB,关闭功能:No,最小单电源电压:2.5 V,最大单电源电压:6 V工作温度:-40 to 125 ℃,典型非反相输入噪声电流密度:0.00031@5V pA/rtHz110 dB,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
R573402720,射频开关,RF Switch SP7T 0MHz to 18GHz 60dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
A54SX32A-TQG176I,现场可编程门阵列(FPGA),32K Gates,1800 Cells,238MHz,0.25um/0.22um (CMOS) Technology,2.5V,由Microsemi原厂生产,TQFP-176封装,批号2019年,详细参数为:所属产品系列:SX-A,逻辑门数量(Gates):32000,逻辑单元数量(Cells):1800,逻辑单元数量(Units):2880,系统门数量(System Gates):48000,寄存器数量(Registers):1980,最大内部频率:238 MHz,典型操作电源电压:2.5 V,最大用户输入/输出数量:147,在系统可编程技术:No,再编程支持:No,工作温度:-40 to 85 ℃,速度等级:STD,最大传输延迟时间:1.2 ns,增强抗辐射性:No,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
LP38842S-0.8/NOPB,1.5A 超低压降线性稳压器,品牌:TI,封装:TO263-6,批号:2019年,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:0.915 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:1.5 A,输出电压:0.8 V,典型压差电压@电流:0.115@1.5A V,精度:±1.5 %,线性调整:0.01(Typ) %/A,负载调节:0.4 %/A,最大静态电流:35 mA,工作温度:-40 to 125℃,封装类型:Surface Mount,电压输出类型:Fixed,是否抗辐射:No,附加功能:Enable, Overcurrent Protection, Thermal Shutdown.目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
TPS77233DGKG4,具有电源状态良好指示并采用 MSOP-8 封装的快速瞬态响应 150mA,3.3V输出 LDO,品牌:TI,封装:VSSOP-8,批号:2019年,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:10 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:3.3 V,最大功耗:412 mW,典型压差电压@电流:0.115@150mA V,精度:±2 %,线性调整:0.005(Typ) %/V,负载调节:1(Typ) mV,最大静态电流:0.125 mA,工作温度:-40 to 125℃,封装类型:Surface Mount,电压输出类型:Fixed,是否抗辐射:No,附加功能:Enable, Overcurrent Protection, Thermal Shutdown, Power Good.目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
LMV358IPWR ,双路低电压轨至轨输出运算放大器,TI原厂生产,TSSOP-8封装,生产批号2019年,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:1 MHz,典型转换速率:1@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:0.44@5V mA,最大输入失调电压:7@5V mV,最大输入偏置电流:0.25@5V uA,典型输入噪声电压密度:39@5V nV/rtHz,最低CMRR值:50 dB,关闭功能:No,最小单电源电压:2.7 V,最大单电源电压:5.5 V工作温度:-40 to 125 ℃,典型非反相输入噪声电流密度:0.21@5V pA/rtHz100 dB,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
ADS8519IBDBR,具有串行接口的16位250kHz CMOS 模数转换器,4.096V 内部基准电压,由TI原厂生产,SSOP-28封装,批号2019年,参数为:分辨率:16 Bit,采样速率:250 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Serial (SPI),输入类型:Voltage,输入电压极性:Unipolar|Bipolar,信噪比:93(Typ) dB,采样和保持功能:Yes,是否抗辐射:No,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
STM8AF6226TCY,单片机,微控制器,16MHz,8位,8KB闪存,1K RAM内存,品牌:ST,封装:32-LQFP,参数:MCU,16MHz,8Bit,8KB Flash,1K RAM.目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562
KBJ2508-B0-10001,二极管,整流桥堆,品牌:Panjit,封装:KBJ-4,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:800 V; 峰值反向电流:10 uA; 峰值平均正向电流:25@Tc=55C A; 峰值正向电压:1.1@15A V; 工作温度:-50 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
CESD5V0D1,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,生产批号2019年,参数为:Vrwm=5V,Min=6.2V,Max=7.3V,Ir=1uA,It=1mA,Vc=13V,Ipp=13A,C=95+pF,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
KBL06-E4/51,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:Case-4 KBL,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:600 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:4@Ta=50C A; 峰值正向电压:1.1 V; 工作温度:-50 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562
PESD3V3L1UB,115,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:NXP,封装:SOD-523-2,参数:类型:TVS; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:30@Contact Disc/10@HBM/0.4@MM kV; 最大工作电压:3.3 V; 最大漏电流:0.3 uA; 电容值:40 pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
GBU6J-E3/45,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:Case-4 GBU,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:600 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:6 A; 峰值正向电压:1@6A V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
BZX84C4V7T,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-523封装,生产批号2019年,参数为:Pd=150mW,Nom=4.7V,Min=4.4V,Max=5V,Zzt=80欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
GBPC3510,二极管,整流桥堆,品牌:Fairchild,封装:Case-4 GBPC,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:1000 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:35@Ta=55C A; 峰值正向电压:1.1@17.5A V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
BZX84B4V3,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,生产批号2019年,参数为:Pd=300mW,Nom=4.3V,Min=4.21V,Max=4.39V,Zzt=90欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ27VCLT1G,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:TVS; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional|Bi-Directional; 最大钳位电压:38 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:16@HBM kV; 最大工作电压:22 V; 最大漏电流:0.05 uA; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562
GBLA06-E3/45,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:Case-4 GBL,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:600 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:4 A; 峰值正向电压:1 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
GBPC1508,二极管,整流桥堆,品牌:Fairchild,封装:Case-4 GBPC,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:800 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:15@Ta=55C A; 峰值正向电压:1.1@7.5A V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-KBPC104,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:D-46-4,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:400 V; 峰值反向电流:10 uA; 峰值平均正向电流:3 A; 峰值正向电压:1.1@1.5A V; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
SST4403T116,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SST-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.1mA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@1V|20@500mA@2V; 最大工作频率:200(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@15mA@150mA|0.75@50mA@500mA V; 最大集电极基极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:350 mW; 安装方式:Surface Mount. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562
MJD350-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:1560 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
ZXTP25020DFHTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|200@1A@2V|70@4A@2V; 最大工作频率:290(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.06@100mA@1A|0.21@10mA@1A|0.24@40mA@2A|0.18@400mA@4A V; 最大集电极基极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:1810 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
BD242BG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@0.6A@3A V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:40 mW; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
BC547C,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA V; 最大集电极基极电压:50 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:500 mW; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
PEMB17,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
2SD667,晶体管,三极管,TO-92L封装,批号2019年,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=120V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,目前库存现货.咨询购买请致电:0755-83897562
MPSA05,晶体管,三极管,TO-92封装,批号2019年,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=4V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.25V,fr=100MHz,目前库存现货.咨询购买请致电:0755-83897562
DDC114YH-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
STA124,晶体管,三极管,TO-92封装,批号2019年,参数为:Pcm=625mW,Ic=1000mA,BVcbo=15V,BVceo=12V,BVebo=6.5V,hfe(Min)=200,hfe(Max)=450,Vce(sat)=0.4V,fr=260+MHz,目前库存现货.咨询购买请致电:0755-83897562
DCX124EK-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SC-74R-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
CPH5902G-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:CPH5902; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG7CH81K10EF-R,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,批号2019年,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=1.15V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
NGTB30N60IHLWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG7PH42UD1PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:85 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
STGW30NC120HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFZ46N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.5mOhms,Id=46A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB3307Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.8mOhms,Id=128A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
STGFW20V60F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3PF-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报价及购买请致电:0755-83897562
CPH5902H-TL-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG4PH40K,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,批号2019年,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=15A,Vce(ON)@25C typ=2.74V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2907Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=170A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
RJH60D3DPP-M0#T2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:TO-220FL-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRGS4B60KD1PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:11 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST230S12P1V,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-93-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:230 A; 浪涌电流额定值:5970 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.55@720A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
BT136X-600E/DG,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:15 mA; 浪涌电流额定值:27 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.7@5A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:1.5 V; 最大门极触发电流:25 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
BT169D-L,112,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:SPT-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:5 mA; 额定平均通态电流:0.5 A; 浪涌电流额定值:9 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.7@1.2A V; 重复峰值断态电流:0.1 mA; 最大栅极触发电压:0.8 V; 最大门极触发电流:0.05 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
BTA312-600B,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:60 mA; 浪涌电流额定值:110 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@15A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:1.5 V; 最大门极触发电流:50 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-180RKI80PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-93-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:180 A; 浪涌电流额定值:4000 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.35@570A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
T2550-12G-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:60 mA; 浪涌电流额定值:252 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.55@35A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:50 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-VSKH250-12PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:MAGN-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:500 mA; 额定平均通态电流:250 A; 浪涌电流额定值:8900 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.44 V; 重复峰值断态电流:60 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 130 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP61089DR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:100 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:11 A; 重复峰值正向阻断电压:100 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:5 mA; 工作温度:-40 to 85 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TPDV1240RG,可控硅整流器,品牌:ST Micro,封装:TOP-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:50 mA; 浪涌电流额定值:590 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.8@35A V; 重复峰值断态电流:0.02 mA; 最大栅极触发电压:1.5 V; 最大门极触发电流:200 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP4082LP-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:TO-92-3,参数:类型:TSPD; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:2.5 A; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 工作温度:0 to 70 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TT500N16KOFHPSA2,可控硅整流器,品牌:Infineon,封装:Tray,参数:类型:PCT Module; 重复峰值反向电压:1800 V; 最大保持电流:300 mA; 额定平均通态电流:500 A; 浪涌电流额定值:17000 A; 重复峰值正向阻断电压:1800 V; 峰值通态电压:1.45@1700A V; 重复峰值断态电流:100 mA; 最大栅极触发电压:2.2 V; 最大门极触发电流:250 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
2N6344AG,可控硅整流器,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:40 mA; 浪涌电流额定值:100 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.75@17A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:50 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MBR3035FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1045,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=45V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20200,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=200V,Vf=0.9V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1035,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=35V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRB10100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-263-2L封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.95V,Ir=0.01mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2040CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3050FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=50V,Vf=0.8V,Ir=0.2mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRB20100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-263-2L封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=100V,Vf=1V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1050CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=50V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2040FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
RF310Y-5,继电器,SPST-NC-DB,5VDC,50Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:High Reliability Relay; 触点形式:SPST-NC-DB; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:100 mA; 线圈电阻:50 Ohm; 触点材质:Precious Metal/Gold Plated; 工作温度:-55 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
J431DD-26L,继电器,SPDT,1ADC/0.25AAC,26.5VDC,4KOhm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:26.5 V; 线圈电流:7.2 mA; 线圈电阻:4 KOhm; 触点材质:Precious Metal/Gold Plated; 最大额定AC交流电压:115 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DSP148FD,继电器,SPST-NO/SPST-NC,5A,48VDC,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO|SPST-NC; 最大额定电流:5 A; DC直流线圈电压:48 V; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 65 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
G7L1ATCBAC100120,继电器,SPST-NO,30A,100/120VAC,5.26KOhm,品牌:Omron,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:30 A; AC交流线圈电压:100|120 V; 线圈电流:20.4 mA; 线圈电阻:5.26 KOhm; 触点材质:Silver Cadmium Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-20 to 60 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
G6RL1SRASIDC24,继电器,SPDT,10(NO)/8(NC)A,24VDC,1.912KOhm,品牌:Omron,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10(NO)/8(NC) A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:12.6 mA; 线圈电阻:1.912 KOhm; 触点材质:Silver Tin Indium; 最大额定AC交流电压:400 V; 最大额定DC直流电压:300 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
M39016/12-044M,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,6VDC,120Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Magnetic Latching Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:50 mA; 线圈电阻:120 Ohm; 触点材质:Precious Metal/Gold Plated; 最大额定AC交流电压:115 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
G5V29DC,继电器,DPDT,2A,9VDC,162Ohm,品牌:Omron,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:55.6 mA; 线圈电阻:162 Ohm; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-25 to 65 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
G6B1174PUSDC12,继电器,SPST-NO,8A,12VDC,720Ohm,品牌:Omron,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:8 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:16.7 mA; 线圈电阻:720 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定AC交流电压:380 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-25 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
G2R24DC6BYOMI,继电器,DPDT,4A,6VDC,68Ohm,品牌:Omron,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:4 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:88.2 mA; 线圈电阻:68 Ohm; 触点材质:Silver; 最大额定AC交流电压:380 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
G2RL1A24DC,继电器,SPST-NO,12A,24VDC,1.44KOhm,品牌:Omron,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:0 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:16.7 mA; 线圈电阻:1.44 KOhm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定AC交流电压:440 V; 最大额定DC直流电压:300 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230D-290B2-28V-021M,继电器,4PDT,10A,28V,290Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:96.55 mA; 线圈电阻:290 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
HJ224DC,继电器,DPDT,7A,24VDC,650Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:7 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:37 mA; 线圈电阻:650 Ohm; 触点材质:Silver; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
LG-217D-3,凹槽型开关,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,批号2014+,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S38,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP5.0-DIP封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
AH3661,霍尔传感器,由AHNJ原厂生产,SIDE-DIP封装,批号2011+,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
A3425,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,批号2011+,参数描述:类型:方向检测型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MQ-9B,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP-18-DIP6封装,批号2014+,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
TLP1200,凹槽型开关,由TOSHIBA原厂生产,GAP5-DIP封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
ON2160-P,反射式开关,由PANASONIC原厂生产,TOP-DIP4封装,批号13+ROHS,参数描述:高灵敏度,易安装,性能稳定. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
EE-SX1121,凹槽型开关,由OMRON原厂生产,GAP5-DIP封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
H21B3,凹槽型开关,由FAIRCHILD原厂生产,GAP3.18-DIP封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,两边带固定孔,长24.3mm宽6.15mm高10.7mm,槽宽3.1mm,光缝宽1.0mm. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
HY301-07,凹槽型开关,由HYGD原厂生产,GAP5-DIP4封装,批号2014+,参数描述:高灵敏度,无固定孔,槽宽5.0mm. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
SG-23FI,凹槽型开关,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,批号2014+,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
ME3-NH3,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP20-DIP封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
TFDU4203,红外数据头,由VISHAY原厂生产,8P 7.1X4.7X2.8封装,批号13+ROHS,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
BPV22F,光电二极管,由VISHAY原厂生产,SIDE-DIP2封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
RPM883-H14E2A,红外数据头,由ROHM原厂生产,DIP封装,批号2014+,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
L4492,红外发射管,HAMAMATSU原厂生产,TOP-4-DIP2封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH3100FA,光敏接收管,OSRAM原厂生产,DIP封装,批号2014+,参数描述:灵敏度高,性能稳定,光谱范围宽,能耐高温,使用方便! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
PIC-12043SMB,红外接收头,KODENSHI原厂生产,DIP封装,批号2014+,参数描述:灵敏度高,性能稳定,体积小,抗光电干扰性能好,接收角度宽,价格实惠! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1FB201RK,光纤收发头,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,批号2011+,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
TPS704,光电二极管,由TOSHIBA原厂生产,SIDE-DIP封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
NDL5521P,光电二极管,由NEC原厂生产,TOP-DIP2封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
PT381F,光敏接收管,SHARP原厂生产,TOP3-DIP封装,批号2011+,参数描述:灵敏度高,性能稳定,光谱范围宽,能耐高温,使用方便! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
HIR35-03C,红外发射管,EVERLIGHT原厂生产,TOP-SMD2封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
GL4800,红外发射管,SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
SMCJ20CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 46.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 32.4 V; 最大反向关态电压: 20 V; 最小击穿电压: 22.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE400A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 342V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 706 V; 最大反向关态电压: 342 V; 最小击穿电压: 380 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CD214B-T36CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 58.1 V; 最大反向关态电压: 36 V; 最小击穿电压: 40 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
1SMB54AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 87.1 V; 最大反向关态电压: 54 V; 最小击穿电压: 60 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
SMCG36A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 58.1 V; 最大反向关态电压: 36 V; 最小击穿电压: 40 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
SMBJ60E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 60V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 107 V; 最大反向关态电压: 60 V; 最小击穿电压: 66.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5SMCJ28A_R2_00001, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 1.5KW,品牌:Panjit,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 45.4 V; 最大反向关态电压: 28 V; 最小击穿电压: 31.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
SMDA24C-7/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 24V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 55 V; 最大反向关态电压: 24 V; 最小击穿电压: 26.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
SM6T15CAY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.8V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 147 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳位电压: 27.2 V; 最大反向关态电压: 12.8 V; 最小击穿电压: 14.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6275ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 71 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 21.2 V; 最大反向关态电压: 12.8 V; 最小击穿电压: 14.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
SMAJ160CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 160V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.7 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 287 V; 最大反向关态电压: 160 V; 最小击穿电压: 178 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
SMB10J14AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14V 1KW,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 43.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 23.2 V; 最大反向关态电压: 14 V; 最小击穿电压: 15.6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C3R9BB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.9 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
T491V227K010ZT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343,V型,参数:容值: 220 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;外形尺寸: 7.3*2*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
CWR29HB106JCFC,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: F型,参数:容值: 10 uF;电压: 15 Vdc;公差精度: 5%;等效串联电阻: 0.667 Ohm;外形尺寸: 5.59*1.78*3.43 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
T491D107M016AH,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 100 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.7 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
CWR29MC335KCFC,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: F型,参数:容值: 3.3 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.7 Ohm;外形尺寸: 5.59*1.78*3.43 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
CWR19JC106KBFB,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: F型,参数:容值: 10 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 3 Ohm;外形尺寸: 5.59*1.78*3.43 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
CWR29KC226KBGZ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: G型,参数:容值: 22 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.35 Ohm;外形尺寸: 6.73*2.79*2.79 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
TPSD227K006R0100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 220 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.9*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
TAZH107M015LBSB0000,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: H型,参数:容值: 100 uF;电压: 15 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.18 Ohm;外形尺寸: 7.24*2.79*3.81 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
TACL225M010RTA,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 1608-10,L型,参数:容值: 2.2 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 7.5 Ohm;外形尺寸: 1.6*0.85*0.85 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
CL02A102KP2NNNC,超小尺寸C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 nF,电压10 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度±10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
T495D226K020ATE2257280,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 22 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.225 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562