ATMEGA2561-16AU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC4051PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用TSSOP-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74LVC86AD低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
24C04C-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HCT244D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-20封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT89C4051-12SU单片机,低功耗高性能的CMOS 8位微控制器由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LV04ADR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
24C04BN-SH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATF91SAM7X256B-AU-001单片机,高性能,可编程逻辑器件由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT45DB161D TU单片机,16M闪存存储器由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
45DB041D-SU存储器,4M闪存存储器由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74LVC1G14GV低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SOT753封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
BZX784B16,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=100mW,Nom=16V,Min=15.68V,Max=16.32V,Zzt=40欧姆,Zzk=200欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DW52C39LED02,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,WBFBP-02C(1.0×0.6×0.5)封装,参数为:Pd=100mW,Nom=39V,Min=37V,Max=41V,Zzt=130欧姆,Zzk=350欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ESDBVD5V0Y1,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,WBFBP-02C-A(1.0×0.6×0.5)封装,参数为:Vrwm=5V,Min=5.6V,Max=8V,Ir=1uA,It=1mA,Vc=13V,Ipp=4A,C=3+pF,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C30,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=30V,Min=28V,Max=32V,Zzt=80欧姆,Zzk=300欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBD4448HTW,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-363封装,参数为:Pd=200mW,Io=250mA,Vr=80V,Vf=1.25V,Ir=0.1uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBD4448HADW,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-363封装,参数为:Pd=200mW,Io=250mA,Vr=80V,Vf=1.25V,Ir=0.1uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR0560,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=410mW,Io=500mA,Vr=60V,Vf=0.7V,Ir=80uA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAV23C,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=350mW,Io=225mA,Vr=250V,Vf=1.25V,Ir=0.1uA,Trr=50nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRX0520,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=250mW,Io=500mA,Vr=20V,Vf=0.45V,Ir=80uA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52B11,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=11V,Min=10.78V,Max=11.22V,Zzt=20欧姆,Zzk=150欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84B5V6,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=5.6V,Min=5.49V,Max=5.71V,Zzt=40欧姆,Zzk=400欧姆,Ir=1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAV70,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=225mW,Io=200mA,Vr=70V,Vf=1.25V,Ir=2.5uA,Trr=6nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTC3879,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=50mA,BVcbo=35V,BVceo=30V,BVebo=4V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.4V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1832,贴片晶体管,三极管,SOT-523封装,参数为:Pcm=100mW,Ic=150mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC2389S,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=50mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=180,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.5V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CJN5616,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1.25mW,Ic=1mA,BVcbo=100V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.5V,fr=162MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA683,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=1000mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=340,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA114YE,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=68,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N5400,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=600mA,BVcbo=130V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=180,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A1015,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=150mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTD2058,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=3+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS3702,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=800mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.25V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
3CA2050,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
S9012W,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL7734,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.5mOhms,Id=183A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ48VS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=72A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7807Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8707,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.9mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5304,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6623,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ST封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.7mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR8259,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.7mOhms,Id=57A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL7440,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,Id=208A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3710Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=18.0mOhms,Id=59A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8302M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=190A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL4310,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,Id=140A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU7440,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=125A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-ST183S04PFL0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-93-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:195 A; 浪涌电流额定值:5130 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.8@600A V; 重复峰值断态电流:40 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST173C12CFK0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:330 A; 浪涌电流额定值:4900 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:2.07@600A V; 重复峰值断态电流:40 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TS820-600FP,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FPAB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:5 mA; 额定平均通态电流:5 A; 浪涌电流额定值:73 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@16A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:0.8 V; 最大门极触发电流:0.2 mA; 最大栅极峰值反向电压:8(Min) V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-VSKH250-12PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:MAGN-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:500 mA; 额定平均通态电流:250 A; 浪涌电流额定值:8900 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.44 V; 重复峰值断态电流:60 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 130 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST280C06C0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:500 A; 浪涌电流额定值:8220 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.36@1050A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP4300H4BJRS,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:230 V; 最大保持电流:800 mA; 浪涌电流额定值:60 A; 重复峰值正向阻断电压:230 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FODM121,DC(直流)检测输入,光电晶体管输出的光电耦合器,由Fairchild原厂生产,MFP-4L封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-10RIA40,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-48-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:130 mA; 额定平均通态电流:10 A; 浪涌电流额定值:240 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.75@32A V; 重复峰值断态电流:10 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:60 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST650C24L1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:2400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:790 A; 浪涌电流额定值:10700 A; 重复峰值正向阻断电压:2400 V; 峰值通态电压:2.07@1700A V; 重复峰值断态电流:80 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST083S04PFM1P,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:85 A; 浪涌电流额定值:2560 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:2.15@300A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP5150H3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:120 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:60 A; 重复峰值正向阻断电压:120 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST180C16C1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:350 A; 浪涌电流额定值:5230 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.96@750A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MBR835,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=8A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3040CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD10100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.85V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20100FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=100V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1070FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=70V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=150V,Vf=1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2045FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1045FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1080CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=80V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1035,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=35V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRB20150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-263-2L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=150V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3060CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ARE10A09J,继电器,SPDT,0.5A,9VDC,405Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Microwave Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:0.5 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:22.2 mA; 线圈电阻:405 Ohm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-290A1-28V-019M,继电器,4PDT,10A,28V,290Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:96.55 mA; 线圈电阻:290 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ASX220A12J,继电器,DPDT,0.01A,12VDC,2.057KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Sensitivity Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.01 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:5.8 mA; 线圈电阻:2.057 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:10 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ASX21003J,继电器,DPDT,0.01A,3VDC,257Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Sensitivity Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.01 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:11.7 mA; 线圈电阻:257 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:10 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DS1ESL26J,继电器,SPDT,3A,6VDC,200Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:3 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:30 mA; 线圈电阻:200 Ohm; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARE1309J,继电器,SPDT,0.5A,9VDC,405Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Microwave Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:0.5 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:22.2 mA; 线圈电阻:405 Ohm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN200A03,继电器,DPDT,1A,3VDC,64.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:46.7 mA; 线圈电阻:64.2 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHK12312J,继电器,SPDT,15A,12VDC,160Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:15 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:160 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:125 V; 工作温度:-50 to 60 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ASX200A09J,继电器,DPDT,0.01A,9VDC,1.62KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Sensitivity Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.01 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:5.6 mA; 线圈电阻:1.62 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:10 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN200A12Z,继电器,DPDT,1A,12VDC,1.028KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:11.7 mA; 线圈电阻:1.028 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1ARP24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,287.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:287.2 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-80C1-12V-010L,继电器,DPDT,10A,12V,80Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:150 mA; 线圈电阻:80 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
A3212EEHL-T,霍尔传感器,由ALLEGRO原厂生产,DIP封装,参数描述:类型:微功耗超灵敏,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
WG312,霍尔传感器,由AHNJ原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A02E,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3281ELT-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SOT-89封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1A22LCJ00F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP5.0-DIP3封装,参数描述:高灵敏度,带连接器,长34.0mm宽11.0mm高21.0mm,槽宽5.0mm,光缝宽0.5mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DYP-ME007TX,声波传感器,由CN原厂生产,DIP3封装,参数描述:频率高,波长短,绕射现象小,方向性好,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
EW632,霍尔传感器,由AKE原厂生产,SIDE-SMD3封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SM5611,力敏传感器,由SMI原厂生产,SMD-8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
UGS3060KA,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:齿轮传感型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SPV5025DP,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,TOP-DIP封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-6000-015A,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,TOP5.8-SMD封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MQ-7,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP-18-DIP6封装,参数描述:高灵敏度!适用气体:一氧化碳.探测范围:10-1000ppm.特征气体:CO 100ppm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LD274,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSUS5402,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP5-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH4751,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-SMD封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH464E,红外发射管,OSRAM原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH405,红外发射管,OSRAM原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRMT6452T,红外数据头,由INFINEON原厂生产,8PIN封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLN227,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH213,光电二极管,由ORSAM原厂生产,TOP-5-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PLT133/T1,光纤收发头,由EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CND0006A01M,红外数据头,由PANASONIC原厂生产,8P 8.5X2.5X2.9封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NDL5521P,光电二极管,由NEC原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LD268,红外发射管,OSRAM原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TMPG06-18AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 15.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 25.5 V; 最大反向关态电压: 15.3 V; 最小击穿电压: 17.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
30KPA240CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 240V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 78.3 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 387 V; 最大反向关态电压: 240 V; 最小击穿电压: 268.1 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
SA24ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 12.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 38.9 V; 最大反向关态电压: 24 V; 最小击穿电压: 26.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP58CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 49 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 103 V; 最大反向关态电压: 58 V; 最小击穿电压: 64.4 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
P6KE7.5ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.4V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 53 A; 最大反向漏电流: 500 uA; 最大钳位电压: 11.3 V; 最大反向关态电压: 6.4 V; 最小击穿电压: 7.13 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE36CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 49.9 V; 最大反向关态电压: 30.8 V; 最小击穿电压: 34.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP20CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 154 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 32.4 V; 最大反向关态电压: 20 V; 最小击穿电压: 22.2 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TVS324, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 24V 150W,品牌:Microsemi,封装:2Case A,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 150 W; 最大峰值脉冲电流: 3.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 42 V; 最大反向关态电压: 24 V; 最小击穿电压: 28.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TVS518, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 18V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case B-(WT),参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 30.5 V; 最大反向关态电压: 18 V; 最小击穿电压: 20.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6466, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30.5V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 63 A; 最大反向漏电流: 3 uA; 最大钳位电压: 47.5 V; 最大反向关态电压: 30.5 V; 最小击穿电压: 33 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP160AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5R,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6271A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.55V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 103 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 14.5 V; 最大反向关态电压: 8.55 V; 最小击穿电压: 9.5 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C100JB8NFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C150JCANNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值15 pF,电压100 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C150JA3NNNC,超小尺寸C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值15 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度±5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C101JHFNFNE,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值100 pF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C222GA8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.2 nF,电压25 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 2 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10A224KA8NNNC,通用X5R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 nF,电压25 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C820JBANNNL,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值82 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C150JBANNNL,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值15 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C7R5DB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值7.5 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 0.5 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C220GB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值22 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 2 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C681JBCNFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值680 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C010BBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562