74HC273D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-20封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74VHCT08AM超高速CMOS逻辑IC由FAIRCHILD原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74AHC74D先进高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LVC16244ADGGR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-48封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HCT04PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用TSSOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HCT244D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-20封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT89LS52-16AU单片机,低功耗高性能的CMOS 8位微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATTINY28C64B-15SU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
CD4053BPWR CMOS电路,数字逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
MC14049UBDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原厂生产,采用SO-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
28C64B-15PU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用DIP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT24C32C-TH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
BZX84C22M,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-723封装,参数为:Pd=100mW,Nom=22V,Min=20.8V,Max=23.3V,Zzt=55欧姆,Zzk=225欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AZ23C6V2,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=6.2V,Min=5.8V,Max=6.6V,Zzt=10欧姆,Zzk=200欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C2V7W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=2.7V,Min=2.5V,Max=2.9V,Zzt=100欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=20uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AZ23C24W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=24V,Min=22.8V,Max=25.6V,Zzt=80欧姆,Zzk=220欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DW52C20LED02,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,WBFBP-02C(1.0×0.6×0.5)封装,参数为:Pd=100mW,Nom=20V,Min=18.8V,Max=21.2V,Zzt=55欧姆,Zzk=225欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAT43W,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=500mW,Vr=30V,Vf=0.45V,Ir=0.5uA,Trr=5nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84B24,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=24V,Min=23.52V,Max=24.48V,Zzt=70欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84B3V0,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=3V,Min=2.94V,Max=3.06V,Zzt=95欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=10uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX784B9V1,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=100mW,Nom=9.1V,Min=8.92V,Max=9.28V,Zzt=15欧姆,Zzk=100欧姆,Ir=0.5uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C24TS,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-363封装,参数为:Pd=200mW,Nom=24V,Min=22.8V,Max=25.6V,Zzt=70欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5227C,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=3.6V,Min=3.53V,Max=3.67V,Zzt=24欧姆,Zzk=1700欧姆,Ir=15uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CJ6V8L,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-553封装,参数为:Pd=150mW,Nom=6.8V,Min=6.47V,Max=7.14V,Zzt=5欧姆,Zzk=30+欧姆,Ir=0.5uA,Vf=1V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
8050S,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBT5401,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=600mA,BVcbo=160V,BVceo=150V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA844,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=100mA,BVcbo=55V,BVceo=55V,BVebo=5V,hfe(Min)=160,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.5V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA113ZVA,PNP数字晶体管,由ROHM原厂生产,TO-92封装,参数为:Pd=625mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=33,Vo(on)=0.3V,R1=1K+欧姆,R2=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4126,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=200mA,BVcbo=25V,BVceo=25V,BVebo=4V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=360,Vce(sat)=0.4V,fr=250MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA821S,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=250mW,Ic=30mA,BVcbo=210V,BVceo=210V,BVebo=5V,hfe(Min)=56,hfe(Max)=270,Vce(sat)=0.6V,fr=50+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC2688,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=200mA,BVcbo=300V,BVceo=300V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1515,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD1815,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=120V,BVceo=100V,BVebo=6V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.4V,fr=180+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD2470,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=5000mA,BVcbo=15V,BVceo=10V,BVebo=8V,hfe(Min)=270,hfe(Max)=820,Vce(sat)=0.5V,fr=170+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC3149M,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=600mA,BVcbo=1200V,BVceo=800V,BVebo=7V,hfe(Min)=24,hfe(Max)=35,Vce(sat)=1V,fr=15+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
3CA8772,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLHS6376,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=12V,Rth(JA)=86C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6638,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.9mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9321,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.2mOhms,RDS(on) Max 4.5V=11.2mOhms,Qg Typ=34.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4768,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=250V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=17.5mOhms,Id=93A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4368,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=350A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6636,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ST封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS4010,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.7mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7188,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6mOhms,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU3607,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6620,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.7mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9383M,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.9mOhms,RDS(on) Max 4.5V=4.8mOhms,Qg Typ=130.0nC,Rth(JC)=1.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=113W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF100B202,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.6mOhms,Id=97A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-180RKI40PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-93-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:180 A; 浪涌电流额定值:4000 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.35@570A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST180S20P0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-93-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:2000 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:200 A; 浪涌电流额定值:5230 A; 重复峰值正向阻断电压:2000 V; 峰值通态电压:1.75@570A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST330S12P0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-118-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:330 A; 浪涌电流额定值:9420 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.52@1000A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-40TPS12A-M3,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-247AC-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:35 A; 浪涌电流额定值:600 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.85@110A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST083S10PFK0P,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1000 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:85 A; 浪涌电流额定值:2560 A; 重复峰值正向阻断电压:1000 V; 峰值通态电压:2.15@300A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TN1215-1000G-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1000 V; 最大保持电流:30 mA; 额定平均通态电流:8 A; 浪涌电流额定值:145 A; 重复峰值正向阻断电压:1000 V; 峰值通态电压:1.6@24A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:15 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST380C06C0L,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:960 A; 浪涌电流额定值:15700 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@3000A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-2N692,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-48-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:20 mA; 额定平均通态电流:16 A; 浪涌电流额定值:180 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:2@16A V; 重复峰值断态电流:2 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:40 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST203C12CFJ1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:370 A; 浪涌电流额定值:5510 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.72@600A V; 重复峰值断态电流:40 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TT104N14KOF,可控硅整流器,品牌:Infineon,封装:PB20-7,参数:类型:PCT Module; 重复峰值反向电压:1400 V; 额定平均通态电流:104 A; 浪涌电流额定值:1800 A; 重复峰值正向阻断电压:1400 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FODM3022_NF098,400V/10mA,随机相位可控硅驱动器输出光电耦合器,由Fairchild原厂生产,MFP-4L封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-ST1230C14K1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:Case-2 A-24,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:1745 A; 浪涌电流额定值:35100 A; 重复峰值正向阻断电压:1400 V; 峰值通态电压:1.62@4000A V; 重复峰值断态电流:100 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MBR1035CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD6100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=6A,Vr=100V,Vf=0.74V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3035CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR4045CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=40A,Vr=45V,Vf=0.6V,Ir=1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2545FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=25A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20150,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=150V,Vf=0.9V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10200FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.05mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1060,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1030FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=150V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3040CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AGQ200S09ZJ,继电器,DPDT,2A,9VDC,579Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:15.5 mA; 线圈电阻:579 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DK1A-5V-F,继电器,SPST-NO,10A,5VDC,125Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:40 mA; 线圈电阻:125 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 65 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
EC2-12ND,继电器,DPDT,2A,12VDC,720Ohm,品牌:KEMET,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:16.67 mA; 线圈电阻:720 Ohm; 触点材质:Silver/ Gold; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ66012J,继电器,DPST-NO,16A,12VDC,576Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:20.83 mA; 线圈电阻:576 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AEP31024J,继电器,SPST-NO,10A,24VDC,461.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Voltage and Current Cut-Off Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:52 mA; 线圈电阻:461.5 Ohm; 最大额定DC直流电压:400 V; 工作温度:-40 to 80 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ALFG2PF24,继电器,SPST-NO,31A,24VDC,410Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:31 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:59 mA; 线圈电阻:410 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 60 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ76006J,继电器,DPST-NC,16A,6VDC,144Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NC; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:41.7 mA; 线圈电阻:144 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARA200A09J,继电器,DPDT,1A,9VDC,579Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:15.5 mA; 线圈电阻:579 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN12224J,继电器,SPDT,10ADC/16AAC,24VDC,1.09KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10DC|16AC A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:22 mA; 线圈电阻:1.09 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246D-320B2-28V-023M,继电器,DPDT,10A,28V,320Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:87.5 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHFTD24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHTRM24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,287.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:287.2 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
A3281ELTTR-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SOT-89封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-1207-006G,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,SOP-6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S33,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP2.0-SMD-4封装,参数描述:高灵敏度,贴片无固定孔,长5.0mm宽4.2mm高5.2mm,槽宽2.0mm,光缝宽0.3mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OS02BLR,槽型开关,由CN原厂生产,GAP3-DIP5封装,参数描述:高精度施密特输出,带固定孔,长25.0mm宽6.0mm高10.0mm,槽宽3mm,光缝宽0.5mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-3137-006AA,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NPP-301A-200AT,力敏传感器,由GE原厂生产,SO-8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MC114,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPXV5050V,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
US2881,霍尔传感器,由Melexis原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP3A41J,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP10-DIP封装,参数描述:高灵敏度,无孔防尘带线,槽宽10.0mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A1211ELHLT-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SOT-23W封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-2108-015GC,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BPW21R,硅光电池管,由VISHAY原厂生产,3X3-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,金属直插2脚,Ф9.1X3.1mm,受光面积3X3mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLN205,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SP04B,硅光电池管,由CN原厂生产,TOP4X4-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片4mmX4mm,椭圆,波长350-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RPM972-H14,红外数据头,由ROHM原厂生产,8.0X2.9X封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HP-2C,硅光电池管,由CN原厂生产,TOP-4-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插平头2PIN芯片1mmX1mm,波长350-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH229FA,光电二极管,由ORSAM原厂生产,SIDE-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH4511,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PLR135/T8,光纤收发头,由EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TFDU5107,红外数据头,由VISHAY原厂生产,8PIN封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VBP104FAS,硅光电池管,由VISHAY原厂生产,3X3-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,贴片2PIN,波长780-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BPW34S,硅光电池管,由VISHAY原厂生产,TOP8-SMD-2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片3mmX3mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TORX179,光纤收发头,由TOSHIBA原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE10ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.55V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 103 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 14.5 V; 最大反向关态电压: 8.55 V; 最小击穿电压: 9.5 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
15KP58A/TR8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 160 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 94 V; 最大反向关态电压: 58 V; 最小击穿电压: 64.4 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP54AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 57.4 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 87.1 V; 最大反向关态电压: 54 V; 最小击穿电压: 60 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6143A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.4V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 96.2 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大钳位电压: 15.6 V; 最大反向关态电压: 8.4 V; 最小击穿电压: 10.45 V; 测试电流: 125 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE400A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 342V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.7 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 548 V; 最大反向关态电压: 342 V; 最小击穿电压: 380 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP36E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 78 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 64.3 V; 最大反向关态电压: 36 V; 最小击穿电压: 40 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
SA15AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 20.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 24.4 V; 最大反向关态电压: 15 V; 最小击穿电压: 16.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
EPS28, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 1KW,品牌:Microsemi,封装:2Case A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 19.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 47.8 V; 最大反向关态电压: 28 V; 最小击穿电压: 31 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6386-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 50 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 25.5 V; 最大反向关态电压: 18 V; 最小击穿电压: 21.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
SA17ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 27.6 V; 最大反向关态电压: 17 V; 最小击穿电压: 18.9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE110A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 94V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 152 V; 最大反向关态电压: 94 V; 最小击穿电压: 105 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE200CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 171V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 274 V; 最大反向关态电压: 171 V; 最小击穿电压: 190 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C472JBFNNWE,网络应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值4.7 nF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C180JA3NNNC,超小尺寸C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值18 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度±5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C101JDCNNND,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值100 pF,电压200 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C271JBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值270 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C271JIHNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值270 pF,电压1000 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.6 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C222JCFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.2 nF,电压100 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C030DB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 0.5 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C6R2BA3GNNH,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值6.2 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C1R8BBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.8 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C1R8BA3GNNH,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.8 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C100JBANFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C102JBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 nF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562