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THS4130IDR

THS4130IDR ,具有关断功能的全差动输入/输出低噪声放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,生产批号2019年,参数为:1 路差分放大器, 典型带宽增益:225 MHz, 最低CMRR值:78(Typ) dB,电源类型:Single|Dual,最小单电源电压:4 V,最大单电源电压:33 V,最小双电源电压:±2 V,最大双电源电压:±16.5 V,温度范围:-40 to 85 ℃，目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

TLE2074CDWG4

TLE2074CDWG4 ,四路低噪声高速 JFET 输入运算放大器,TI原厂生产,SOIC-16封装,生产批号2019年,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:9.4 MHz,典型转换速率:35@±5V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:5@±5V mV,最大输入偏置电流:0.000175@±5V uA,典型输入噪声电压密度:48@±5V nV/rtHz,最低CMRR值:70 dB,关闭功能:No,最小双电源电压:±2.25 V,最大双电源电压:±19 V,工作温度:0 to 70 ℃,典型非反相输入噪声电流密度:0.0028@±5V pA/rtHz106 dB，目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

ADC34J24IRGZT

ADC34J24IRGZT,四通道 12位50 - 160MSPS 模数转换器,由TI原厂生产,VQFN-48封装,批号2019年,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

LM529CN

LM258-N,低功耗双路运算放大器,由TI原厂生产,批号2019年,咨询库存数量,请致电:0755-83897562

DAC7513N/3K

DAC7513N/3K,低功耗轨至轨输出 12位串行输入DAC,由TI原厂生产,SSOP-8封装,批号2019年,参数为:分辨率:12 Bit,转换速率:95 Ksps,架构:Resistor-String,数字接口类型:Serial (3-Wire, SPI, QSPI, Microwire),DAC通道数:1,每芯片输出:1,输出类型:Voltage,满量程误差:-1.25 % of FSR,积分非线性误差:±8 LSB,最大稳定时间:10 us,是否抗辐射:No,工作温度范围:-40 to 105℃,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

TLV2252-EP

TLV2252-EP,军用增强型塑料轨至轨极低功耗运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,生产批号2019年,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

M2S025T-VF400

M2S025T-VF400,现场可编程门阵列(FPGA),23988 Cells,65nm (CMOS) Technology,1.2V,由Microsemi原厂生产,VFBGA-400封装,批号2019年,详细参数为:所属产品系列:SmartFusion2,逻辑单元数量(Cells):23988,逻辑单元数量(Units):23988,典型操作电源电压:1.2 V,最大用户输入/输出数量:160,内存RAM位数:606208,在系统可编程技术:No,再编程支持:No,工作温度:0 to 85 ℃,速度等级:STD,增强抗辐射性:No,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

STM32F429VGT6TR

STM32F429VGT6TR,单片机，微控制器，180MHz，32位，1MB闪存，256K RAM内存,品牌:ST,封装:100-LQFP,参数:MCU,180MHz,32Bit,1MB Flash,256K RAM.目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562

LP38693MPX-2.5/NOPB

LP38693MPX-2.5/NOPB,借助陶瓷输出电容实现稳定的 500mA 低压降 CMOS 线性稳压器,品牌:TI,封装:SOT223-5,批号:2019年,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:10 V,最大输出电流:0.5 A,输出电压:2.5 V,典型压差电压@电流:0.08@100mA|0.43@500mA V,精度:±2 %,线性调整:0.03(Typ) %/V,负载调节:1.8(Typ) %/A,最大静态电流:0.1 mA,工作温度:-40 to 125℃,封装类型:Surface Mount,电压输出类型:Fixed,是否抗辐射:No,附加功能:Enable, Overcurrent Protection, Thermal Shutdown, Foldback Overcurrent Protection.目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

TLV3012AQDCKRQ1

TLV3012AQDCKRQ1 ,具有电压基准的汽车类纳瓦级功率、1.8V、SOT23 推挽比较器,TI原厂生产,SC-70-6封装,生产批号2019年,参数为:1 路, 输出类型:Open Drain, 最小单电源电压:1.8 V,最大单电源电压:5.5 V,温度范围:-40 to 125 ℃，目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

TPS73130MDBVREP

TPS73130MDBVREP,增强型,具有反向电流保护的无电容、NMOS、150mA,3V输出,低压降稳压器,品牌:TI,封装:SOT23-5,批号:2019年,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:1.7 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:3 V,最大功耗:638 mW,典型压差电压@电流:0.03@150mA V,精度:±0.5 %,线性调整:0.01(Typ) %/V,负载调节:0.002(Typ) %/A,参考电压:1.21 V,工作温度:-55 to 125℃,封装类型:Surface Mount,电压输出类型:Fixed,是否抗辐射:No,附加功能:Enable, Fast Transient Response, Overcurrent Protection, Thermal Shutdown.目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

5CEFA4U19C6N

5CEFA4U19C6N,现场可编程门阵列(FPGA),49000 Cells,28nm 1.1V,由Altera原厂生产,UBGA-484封装,批号2019年,详细参数为:所属产品系列:Cyclone V E,逻辑单元数量(Cells):49000,逻辑单元数量(Units):49000,寄存器数量(Registers):73920,典型操作电源电压:1.1 V,最大用户输入/输出数量:224,内存RAM位数:3153920 Bit,在系统可编程技术:Yes,再编程支持:Yes,工作温度:0 to 85 ℃,速度等级:6,增强抗辐射性:No,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

HSMP-386J-TR1G

HSMP-386J-TR1G,PIN二极管开关,品牌:Avago,封装:QFN-8,参数:配置:Octal; 最大反向电压:100 V; 最大二极管电容:1.25@50V pF; 最大功率耗散:2000 mW; 典型载流寿命时间:0.26 us; 安装方式:Surface Mount; 类型:Switch. 询报价及购买请致电:0755-83897562

ESDBL5V0AE1

ESDBL5V0AE1,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,DFNWB0.6X0.3-2L-B封装,生产批号2019年,参数为:Vrwm=5V,Min=5.8V,Max=8V,Ir=0.1uA,It=1mA,Vc=10V,Ipp=5A,C=10+pF,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

SD101CWS

SD101CWS,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,批号2019年,参数为:Pd=200mW,Vr=40V,Vf=0.9V,Ir=0.2uA,Trr=1nS,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

BZT52C13S

BZT52C13S,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,生产批号2019年,参数为:Pd=200mW,Nom=13V,Min=12.4V,Max=14.1V,Zzt=30欧姆,Zzk=170欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

MMBZ5251C

MMBZ5251C,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,生产批号2019年,参数为:Pd=300mW,Nom=22V,Min=21.56V,Max=22.44V,Zzt=29欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

TPD2E2U06QDBZRQ1

TPD2E2U06QDBZRQ1,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:TI,封装:SOT-23-3,参数:类型:TVS; 配置:Dual; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12.4(Typ) V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±30@Air Gap|±25@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V; 最大漏电流:0.01 uA; 电容值:1.9 pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温度:125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

DI1512S_T0_00001

DI1512S_T0_00001,二极管,整流桥堆,品牌:Panjit,封装:SDIP-4,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:1200 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:1.5@Ta=40C A; 峰值正向电压:1.1@1A V; 工作温度:-50 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

BZT52C24S

BZT52C24S,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,生产批号2019年,参数为:Pd=200mW,Nom=24V,Min=22.8V,Max=25.6V,Zzt=70欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

GBU408

GBU408,二极管,整流桥堆,品牌:Diodes,封装:Case-4 GBU,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:800 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:4 A; 峰值正向电压:1@2A V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

BAR64-06W H6327

BAR64-06W H6327,PIN二极管衰减器/开关,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:配置:Dual Common Anode; 最大反向电压:150 V; 最大正向电流:100 mA; 最大正向电压:1.1@50mA V; 频率范围:MF|HF|VHF|UHF|SHF; 最大二极管电容:0.35@20V pF; 最大功率耗散:250 mW; 典型载流寿命时间:1.55 us; 安装方式:Surface Mount; 类型:Attenuator|Switch. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562

BAP50-04W,115

BAP50-04W,115,PIN二极管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:配置:Dual Series; 最大反向电压:50 V; 最大正向电流:50 mA; 最大正向电压:1.1 V; 最大二极管电容:0.5@5V pF; 最大功率耗散:240 mW; 典型载流寿命时间:1.05 us; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

RN262CST2R

RN262CST2R,PIN二极管开关,品牌:Rohm,封装:VMN-2,参数:最大反向电压:30 V; 最大正向电流:100 mA; 最大正向电压:1@10mA V; 最大二极管电容:0.4@1V pF; 最大功率耗散:100 mW; 安装方式:Surface Mount; 类型:Switch. 询报价及购买请致电:0755-83897562

NSS1C201MZ4T1G

NSS1C201MZ4T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:150@10mA@2V|120@0.5A@2V|80@1A@2V|40@2A@2V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.03@0.01A@0.1A|0.06@0.05A@0.5A|0.1@0.1A@1A|0.18@0.2A@2A V; 最大集电极基极电压:140 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:2000 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

BCW60BE6327HTSA1

BCW60BE6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:20@10uA@5V|180@2mA@5V|70@50mA@1V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.25mA@10mA|0.55@1.25mA@50mA V; 最大集电极基极电压:32 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:330 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

MMSTA56T146

MMSTA56T146,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@100mA V; 最大集电极基极电压:80 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:350 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

E-ULN2003A

E-ULN2003A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@500uA@350mA V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

PMST3904,135

PMST3904,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V; 最大工作频率:300(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@1mA@10mA|0.3@5mA@50mA V; 最大集电极基极电压:60 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:200 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

2SC2881

2SC2881,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,批号2019年,参数为:Pcm=500mW,Ic=800mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1V,fr=120+MHz,目前库存现货.咨询购买请致电:0755-83897562

BCW61C,235

BCW61C,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:40@10uA@5V|250@2mA@5V|100@50mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.25mA@10mA|0.55@1.25mA@50mA V; 最大集电极基极电压:32 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:250 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

MPSA06RA

MPSA06RA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@100mA V; 最大集电极基极电压:80 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:625 mW; 安装方式:Through Hole. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562

BC848BLT3G

BC848BLT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA V; 最大集电极基极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:300 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

BCR555E6433HTMA1

BCR555E6433HTMA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

BC846SE6327

BC846SE6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA V; 最大集电极基极电压:80 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:250 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

BC54-16PA,115

BC54-16PA,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:HUSON-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@500mA V; 最大集电极基极电压:45 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:1650 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

IRF6712S

IRF6712S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,批号2019年,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.9mOhms,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF7490

IRF7490,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,批号2019年,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=39.0mOhms,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

STGD14NC60KT4

STGD14NC60KT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

IRG4PH50SPBF

IRG4PH50SPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:57 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562

NGB8204ANT4G

NGB8204ANT4G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:430 V; 最大连续集电极电流:18 A; 最大栅极发射极电压:18 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

IRG4BC20FDPBF

IRG4BC20FDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562

IRFH7004

IRFH7004,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,批号2019年,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,Id=259A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

NGTB25N120FLWG

NGTB25N120FLWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

IRFS7530

IRFS7530,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.0mOhms,Id=295A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

NGB8206ANT4G

NGB8206ANT4G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:390 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±15 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

SGH20N60RUFDTU

SGH20N60RUFDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3P(N)-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:32 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

IRG8P50N120KD-EPBF

IRG8P50N120KD-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ℃. 询报价及购买请致电:0755-83897562

VS-ST300C12L1

VS-ST300C12L1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:560 A; 浪涌电流额定值:8380 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:2.18@1635A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562

BTA310X-600D,127

BTA310X-600D,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:10 mA; 浪涌电流额定值:93 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@12A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:1.5 V; 最大门极触发电流:5 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

2N6075BG

2N6075BG,可控硅整流器,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:15 mA; 浪涌电流额定值:30 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:2@6A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:5 mA; 工作温度:-40 to 110 ℃; 安装方式:Through Hole. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562

BTA208X-800E,127

BTA208X-800E,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:12 mA; 浪涌电流额定值:71 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.65@10A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:1.5 V; 最大门极触发电流:10 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

BTA312-600E,127

BTA312-600E,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:15 mA; 浪涌电流额定值:110 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@15A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:1.5 V; 最大门极触发电流:10 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

TISP4350H3LM-S

TISP4350H3LM-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:DO-92-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:275 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:60 A; 重复峰值正向阻断电压:275 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

BTB12-700C

BTB12-700C,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:700 V; 最大保持电流:25 mA; 浪涌电流额定值:125 A; 重复峰值正向阻断电压:700 V; 峰值通态电压:1.5@17A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 最大栅极触发电压:1.5 V; 最大门极触发电流:50 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

VS-VSKL136/08PBF

VS-VSKL136/08PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:INT-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:135 A; 浪涌电流额定值:3360 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.57 V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562

BTA216X-600F,127

BTA216X-600F,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:30 mA; 浪涌电流额定值:150 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@20A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:1.5 V; 最大门极触发电流:25 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

T1235T-6I

T1235T-6I,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3 Insulated,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:30 mA; 浪涌电流额定值:95 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.55@17A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:35 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

TISP4165J3BJR-S

TISP4165J3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:135 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:50 A; 重复峰值正向阻断电压:135 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

BCR1AM-8P#B10

BCR1AM-8P#B10,可控硅整流器,品牌:Renesas,封装:TO-92-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:400 V; 浪涌电流额定值:10 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.6@1.5A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:5 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

MBRD20100CT

MBRD20100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,批号2019年,参数为:Pd=1.25W,Io=20A,Vr=100V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR1080FCT

MBR1080FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=80V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR30100PT

MBR30100PT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-3P封装,批号2019年,参数为:Pd=3.5W,Io=30A,Vr=100V,Vf=1.05V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR1090FCT

MBR1090FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=90V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR1030CT

MBR1030CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR2040CT

MBR2040CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR1040FCT

MBR1040FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR20150FCT

MBR20150FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=150V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR1030

MBR1030,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR850

MBR850,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=8A,Vr=50V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR30200CT

MBR30200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR2060FCT

MBR2060FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

AHN12224J

AHN12224J,继电器,SPDT,10ADC/16AAC,24VDC,1.09KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10DC|16AC A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:22 mA; 线圈电阻:1.09 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

G6E134PLSTUSDC24

G6E134PLSTUSDC24,继电器,SPDT,3A,24VDC,1.44KOhm,品牌:Omron,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:3 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:16.7 mA; 线圈电阻:1.44 KOhm; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

ER432T-5A/Q

ER432T-5A/Q,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,5VDC,100Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:59.3 mA; 线圈电阻:100 Ohm; 触点材质:Precious Metal/Gold Plated; 最大额定AC交流电压:115 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

M39016/16-043M

M39016/16-043M,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,12VDC,850Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:14.11 mA; 线圈电阻:850 Ohm; 触点材质:Precious Metal/Gold Plated; 最大额定AC交流电压:115 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

J422D-5M

J422D-5M,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,5VDC,61Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Magnetic Latching Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:81.96 mA; 线圈电阻:61 Ohm; 触点材质:Precious Metal/Gold Plated; 最大额定AC交流电压:115 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

G5CA1A4DC5

G5CA1A4DC5,继电器,SPST-NO,10A,5VDC,125Ohm,品牌:Omron,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:40 mA; 线圈电阻:125 Ohm; 触点材质:Silver; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-25 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

ER432D-18A

ER432D-18A,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,18VDC,1.6KOhm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:18 V; 线圈电流:11.25 mA; 线圈电阻:1.6 KOhm; 触点材质:Precious Metal/Gold Plated; 最大额定AC交流电压:115 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

JS1-24V-F

JS1-24V-F,继电器,SPDT,5ADC/10AAC,24VDC,1.6KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:5DC|10AC A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:15 mA; 线圈电阻:1.6 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:100 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

EE2-9TNU-L

EE2-9TNU-L,继电器,DPDT,2A,9VDC,579Ohm,品牌:KEMET,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:15.54 mA; 线圈电阻:579 Ohm; 触点材质:Silver/ Gold; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 端子类型:Gull Wing; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

G7L1ABCBAC200240

G7L1ABCBAC200240,继电器,SPST-NO,30A,200/240VAC,21KOhm,品牌:Omron,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:30 A; AC交流线圈电压:200|240 V; 线圈电流:10.2 mA; 线圈电阻:21 KOhm; 触点材质:Silver Tin Indium; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-25 to 60 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

K-D2N

K-D2N,继电器,4PDT,12A,28VDC,290Ohm,品牌:Leach,参数:类型:Non Latching Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:0 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:96.55 mA; 线圈电阻:290 Ohm; 最大额定AC交流电压:115/200 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

J114DD-9PL

J114DD-9PL,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,9VDC,220Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Centigrid Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:42.9 mA; 线圈电阻:220 Ohm; 触点材质:Precious Metal/Gold Plated; 最大额定AC交流电压:115 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

HY-301-32

HY-301-32,凹槽型开关,由HYGD原厂生产,DIP封装,批号2014+,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IT1102H

IT1102H,凹槽型开关,由NXGD原厂生产,GAP5-DIP封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

ITR-20403

ITR-20403,凹槽型开关,由EVERLIGHT原厂生产,DIP4封装,批号2014+,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

H22B4

H22B4,凹槽型开关,由FAIRCHILD原厂生产,GAP3.18-DIP封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长11.6mm宽6.15mm高10.7mm,槽宽3.0mm,光缝宽1.0mm. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

AH661

AH661,霍尔传感器,由AHNJ原厂生产,SIDE-DIP封装,批号2011+,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

GP1S195HCZSF

GP1S195HCZSF,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP1.5-DIP4封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

SG-258S

SG-258S,凹槽型开关,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,批号2014+,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

GP1A05A

GP1A05A,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP5.0-DIP3封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IT156L

IT156L,凹槽型开关,由NXGD原厂生产,GAP5-DIP封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

ITR-9302

ITR-9302,凹槽型开关,由EVERLIGHT原厂生产,DIP封装,批号2014+,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

OS0529

OS0529,槽型开关,由CN原厂生产,GAP8-DIP4封装,批号13+ROHS,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长17.5mm宽5.5mm高10.0mm,槽宽8mm,光缝宽0.5mm. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

GP1L53VJ000F

GP1L53VJ000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP5-DIP4封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

BP103-5

BP103-5,光敏接收管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP3封装,批号2011+,参数描述:灵敏度高,性能稳定,光谱范围宽,能耐高温,使用方便! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IR958-8C

IR958-8C,红外发射管,EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP封装,批号13+ROHS,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

TOTX179P

TOTX179P,光纤收发头,由TOSHIBA原厂生产,SIDE-DIP封装,批号2011+,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

GP1U28

GP1U28,红外接收头,SHARP原厂生产,SIDE-DIP3封装,批号2011+,参数描述:灵敏度高,性能稳定,体积小,抗光电干扰性能好,接收角度宽,价格实惠! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

SFH3162

SFH3162,光敏接收管,ORSAM原厂生产,SIDE-DIP封装,批号2011+,参数描述:灵敏度高,性能稳定,光谱范围宽,能耐高温,使用方便! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

LN152

LN152,红外发射管,PANASONIC原厂生产,TOP-DIP2封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

CL138M

CL138M,光敏接收管,CN原厂生产,TOP-DIP3封装,批号13+ROHS,参数描述:灵敏度高,性能稳定,光谱范围宽,能耐高温,使用方便! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

H238

H238,红外接收头,VISHAY原厂生产,TOP-SMD4封装,批号13+ROHS,参数描述:灵敏度高,性能稳定,体积小,抗光电干扰性能好,接收角度宽,价格实惠! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

RPT-25PT

RPT-25PT,光敏接收管,ROHM原厂生产,DIP封装,批号2014+,参数描述:灵敏度高,性能稳定,光谱范围宽,能耐高温,使用方便! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

PN1803L

PN1803L,光敏接收管,PANASONIC原厂生产,DIP封装,批号2014+,参数描述:灵敏度高,性能稳定,光谱范围宽,能耐高温,使用方便! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

TMC-1C55-640

TMC-1C55-640,光电二极管,由TrueLight原厂生产,TOP-DIP5封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

LD274

LD274,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

SMCJ48A-E3

SMCJ48A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 77.4 V; 最大反向关态电压: 48 V; 最小击穿电压: 53.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

DFLT18A-7

DFLT18A-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 1.125KW,品牌:Diodes,封装:2PowerDI 123,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1125 W; 最大峰值脉冲电流: 7.71 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 29.2 V; 最大反向关态电压: 18 V; 最小击穿电压: 20 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

SMBJ70A-13-F

SMBJ70A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 113 V; 最大反向关态电压: 70 V; 最小击穿电压: 77.8 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

SM8S24AHE3

SM8S24AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 6.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 6600 W; 最大峰值脉冲电流: 170 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 38.9 V; 最大反向关态电压: 24 V; 最小击穿电压: 26.7 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

SMBJ36CA-13-F

SMBJ36CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 58.1 V; 最大反向关态电压: 36 V; 最小击穿电压: 40 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

SMBJ17CA-HE3

SMBJ17CA-HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 21.7 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 27.6 V; 最大反向关态电压: 17 V; 最小击穿电压: 18.9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

SMAJ14A-M3

SMAJ14A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 17.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 23.2 V; 最大反向关态电压: 14 V; 最小击穿电压: 15.6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

SA64CA-E3

SA64CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 103 V; 最大反向关态电压: 64 V; 最小击穿电压: 71.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

SAC45-E3

SAC45-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 77 V; 最大反向关态电压: 45 V; 最小击穿电压: 50 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

5KP130CAE3

5KP130CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

SMCG51CA-E3

SMCG51CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 82.4 V; 最大反向关态电压: 51 V; 最小击穿电压: 56.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

1N6468

1N6468, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 35 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 78.5 V; 最大反向关态电压: 51.6 V; 最小击穿电压: 54 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562