STGW20V60DF
STGW20V60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询...
IRGIB15B60KD1P
IRGIB15B60KD1P,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220 Full-Pack-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:19 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:075...
NGTB30N60SWG
NGTB30N60SWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报价及购买...
STGW25H120F2
STGW25H120F2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55...
SGL160N60UFDTU
SGL160N60UFDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-264-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:160 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRGS4607D
IRGS4607D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7.0A,Vce(ON)@25C typ=1.75V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FD600R17KF6C_B2
FD600R17KF6C_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM73-10,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:10; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:975 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07...
SKP02N60
SKP02N60,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
STGW35HF60WD
STGW35HF60WD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...
IRLU120N
IRLU120N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=185mOhms,Id=6.9A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK715V-AC
2SK715V-AC,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SPA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
STGF14NC60KD
STGF14NC60KD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:11 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRF7832PBF-1
IRF7832PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BLF644PU
BLF644PU,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-1228A-5,参数:配置:Dual Common Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:65 V; 最大门源电压:11 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRLML2246
IRLML2246,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=135.0mOhms,Qg Typ=2.9nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4CC80SB
IRG4CC80SB,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU120N
IRFU120N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=210mOhms,Id=5.8A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4790D
IRGP4790D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=90A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC10B60KB
IRGC10B60KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.8V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFI4020H-117P
IRFI4020H-117P,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,TO-220 Full-Pak 5-Pin封装,参数为:VBrdss=200V,VGs Max=20V,Rth(JA)=65C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562