88SC0104-SU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LVC74APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATF1504AS-10JU44单片机,高性能,可编程逻辑器件由ATMEL原厂生产,采用PLCC封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATMEGA128-16AU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATF16V8BQL-15PU单片机,高性能,可编程逻辑器件由ATMEL原厂生产,采用DIP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LV74ADR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LVC04APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74AHC573DWR先进高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-20 7.2封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC238PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用TSSOP-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATMEGA48V-10AU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74AHC245PW先进高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用TSSOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATMEGA328P-AU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
BZT52B36S,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=36V,Min=35.28V,Max=36.72V,Zzt=90欧姆,Zzk=350欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX584B6V8,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=6.8V,Min=6.66V,Max=6.94V,Zzt=15欧姆,Zzk=80欧姆,Ir=2uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX584B22,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=22V,Min=21.56V,Max=22.44V,Zzt=55欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTESD3V3LED02,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,WBFBP-02C(1.0×0.6×0.5)封装,参数为:Vrwm=3.3V,Min=5V,Max=5.9V,Ir=1uA,It=1mA,Vc=13V,Ipp=16A,C=120+pF,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX784B8V2,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=100mW,Nom=8.2V,Min=8.04V,Max=8.36V,Zzt=15欧姆,Zzk=80欧姆,Ir=0.7uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX584C4V3,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=4.3V,Min=4V,Max=4.6V,Zzt=90欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52C16,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=16V,Min=15.3V,Max=17.1V,Zzt=40欧姆,Zzk=200欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR0540,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=410mW,Io=500mA,Vr=40V,Vf=0.55V,Ir=80uA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52C39,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=39V,Min=37V,Max=41V,Zzt=130欧姆,Zzk=350欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C3V9M,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-723封装,参数为:Pd=100mW,Nom=3.9V,Min=3.7V,Max=4.1V,Zzt=90欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX784C18,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=150mW,Nom=18V,Min=16.8V,Max=19.1V,Zzt=45欧姆,Zzk=225欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C12,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=12V,Min=11.4V,Max=12.7V,Zzt=25欧姆,Zzk=150欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC1383,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1000mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=340,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1037,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.5V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BD137,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=1500mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,fr=190+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB1197,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=800mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CJ303PL,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=3000mA,BVcbo=50V,BVceo=35V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.4V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF422,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=830mW,Ic=100mA,BVcbo=250V,BVceo=250V,BVebo=5V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.6V,fr=60MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA821,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=250mW,Ic=30mA,BVcbo=210V,BVceo=210V,BVebo=5V,hfe(Min)=56,hfe(Max)=270,Vce(sat)=0.6V,fr=50+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD1802,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.5V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTD998,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3000mW,Ic=10000mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=2.5V,fr=12+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
S8550,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC1384,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=340,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BD236,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=2000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.6V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1010Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.5mOhms,Id=94A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4768,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=250V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=17.5mOhms,Id=93A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1310NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=36.0mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5206,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.7mOhms,Id=89A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2807ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.4mOhms,Id=89A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL530NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLHS2242,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=31.0mOhms,Qg Typ=12.0nC,Rth(JC)=13K/W,Power Dissipation@TC 25C=9.6W,Id@TC 25C=-15A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR4615,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42.0mOhms,Id=33A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7739L1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.0mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM8235,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.7mOhms,Id=50A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLU2905,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=27mOhms,Id=23A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR48Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TS420-600B,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:5 mA; 额定平均通态电流:2.5 A; 浪涌电流额定值:33 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@8A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:0.8 V; 最大门极触发电流:0.2 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
FODM121,DC(直流)检测输入,光电晶体管输出的光电耦合器,由Fairchild原厂生产,MFP-4L封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-T70RIA60,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:D-55-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:70 A; 浪涌电流额定值:1740 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.55 V; 重复峰值断态电流:0.1 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:120 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MOC207M,单通道光电晶体管输出光电耦合器,DC直流输入,由Fairchild原厂生产,SOIC-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FODM8801C,DC(直流)检测输入,高温光电晶体管输出光耦,由Fairchild原厂生产,MFP-4L封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TYN408GRG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:45 mA; 额定平均通态电流:5 A; 浪涌电流额定值:84 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.8@16A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 最大栅极触发电压:1.5 V; 最大门极触发电流:25 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TT425N12KOF,可控硅整流器,品牌:Infineon,封装:7-Pin,参数:类型:PCT Module; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:300 mA; 额定平均通态电流:510 A; 浪涌电流额定值:14500 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.5@1500A V; 重复峰值断态电流:80 mA; 最大栅极触发电压:1.5 V; 最大门极触发电流:250 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST730C14L0L,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:990 A; 浪涌电流额定值:18700 A; 重复峰值正向阻断电压:1400 V; 峰值通态电压:1.62@2000A V; 重复峰值断态电流:80 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FODM3063,600V/5mA过零可控硅驱动器,由Fairchild原厂生产,MFP-4L封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-25TTS08SPBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:D2PAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:100 mA; 额定平均通态电流:16 A; 浪涌电流额定值:350 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.25@16A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:45 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-91MT160KPBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:INT-A-PAK-6,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:90 A; 浪涌电流额定值:1000 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.65@150A V; 重复峰值断态电流:20 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP5080H3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:65 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:60 A; 重复峰值正向阻断电压:65 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MBR2040CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1030CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20200,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=200V,Vf=0.9V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1040CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1050,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=50V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1060,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=200V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10100,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3045CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3060FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=150V,Vf=1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1030,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-20B3-6V-008M,继电器,4PDT,10A,6V,20Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:300 mA; 线圈电阻:20 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGQ2101HJ,继电器,DPDT,2A,1.5VDC,22.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:1.5 V; 线圈电流:66.7 mA; 线圈电阻:22.5 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHF24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHK12312J,继电器,SPDT,15A,12VDC,160Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:15 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:160 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:125 V; 工作温度:-50 to 60 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ76024J,继电器,DPST-NC,16A,24VDC,2.304KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NC; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:10.4 mA; 线圈电阻:2.304 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ASX22006J,继电器,DPDT,0.01A,6VDC,514Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Sensitivity Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.01 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:11.7 mA; 线圈电阻:514 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:10 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHRM24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,287.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:287.2 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-890B1-48V-026L,继电器,4PDT,10A,48V,890Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:53.93 mA; 线圈电阻:890 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGQ21024J,继电器,DPDT,2A,24VDC,4.8KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:5 mA; 线圈电阻:4.8 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DE1A-L-5V,继电器,SPST-NO,10A,5VDC,250Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:20 mA; 线圈电阻:250 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:440 V; 最大额定DC直流电压:230 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARJ20A4H,继电器,DPDT,0.3A,4.5VDC,101.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.3 A; DC直流线圈电压:4.5 V; 线圈电流:44.4 mA; 线圈电阻:101.2 Ohm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-30 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADQ23Q006J,继电器,SPST-NO,30A,6VDC,36Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:30 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:166.7 mA; 线圈电阻:36 Ohm; 触点材质:Silver; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 65 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-5000-015A,力敏传感器,由Metrodyne原厂生产,TOP9-DIP封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S093HCZ0F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,DIP4封装,参数描述:高灵敏度,微型无固定孔,长4.5mm宽2.6mm高2.9mm,槽宽2.0mm,光缝宽0.3mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OJ-165,凹槽型开关,由ALEPH原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
QCK-5,凹槽型开关,由FAIRCHILD原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A1322ELH,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SOT-23W封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
4OX(2),气敏传感器,由CITY原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RPI-441C1,凹槽型开关,由ROHM原厂生产,GAP4-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,微型无固定孔,长8.0mm宽4.2mm高5.2mm,槽宽4.0mm,光缝宽0.5mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SM5652-030-D-3-LR,力敏传感器,由SMI原厂生产,SMD8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AH441,霍尔传感器,由AHNJ原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
H25A,槽型开关,由CN原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长20.0mm宽6.0mm高10.0mm,槽宽10mm,光缝宽0.8mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPXH6101AC6U,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,SOP-8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A1204,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1FA500RZ,光纤收发头,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CIM-55S7RV,红外数据头,由CITIZEN原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HS0038A2,红外接收头,VISHAY原厂生产,SIDE-DIP3封装,参数描述:质量稳定,抗干扰性好,大体积直插3脚,频率38KHZ. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LNA2802L,红外发射管,PANASONIC原厂生产,TOP3-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CIM131S12-T,红外数据头,由CITIZEN原厂生产,6.8X2.4X封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PLR135/T2,光纤收发头,由EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH401-3,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KOI-6006B,红外数据头,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CND0301A,红外数据头,由PANASONIC原厂生产,TOP-DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSMF1040,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP1.8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KOI-6002A,红外数据头,由KODENSHI原厂生产,7X2.8X1.封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HPI-304R4L,光电二极管,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1N6287AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 64.8 V; 最大反向关态电压: 40.2 V; 最小击穿电压: 44.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE15AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 71 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 21.2 V; 最大反向关态电压: 12.8 V; 最小击穿电压: 14.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE18CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 25.2 V; 最大反向关态电压: 15.3 V; 最小击穿电压: 17.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP170CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE12CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 89.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 16.7 V; 最大反向关态电压: 10.2 V; 最小击穿电压: 11.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP75E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 75V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 37 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 134 V; 最大反向关态电压: 75 V; 最小击穿电压: 83.3 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP22CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 127 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 39.4 V; 最大反向关态电压: 22 V; 最小击穿电压: 24.4 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE480A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 408V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.28 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 658 V; 最大反向关态电压: 408 V; 最小击穿电压: 456 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE8.2CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.02V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 124 A; 最大反向漏电流: 400 uA; 最大钳位电压: 12.1 V; 最大反向关态电压: 7.02 V; 最小击穿电压: 7.79 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6275A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 70.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 21.2 V; 最大反向关态电压: 12.8 V; 最小击穿电压: 14.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6374-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 25 uA; 最大钳位电压: 11.5 V; 最大反向关态电压: 8 V; 最小击穿电压: 9.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6373-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 160 A; 最大反向漏电流: 300 uA; 最大钳位电压: 7.5 V; 最大反向关态电压: 5 V; 最小击穿电压: 6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C561JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值560 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C020CBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C391JBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值390 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C060CBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值6 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C102JBCNNNL,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 nF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C030CA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C140JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值14 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C4R7BA3GNNH,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值4.7 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C221JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C151JGFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值150 pF,电压500 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C101JDCNNND,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值100 pF,电压200 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C151JBANFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值150 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562