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VS-ST110S04P0V,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:110 A; 浪涌电流额定值:2830 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.52@350A V; 重复峰值断态电流:20 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
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VS-ST330C16L1L,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:650 A; 浪涌电流额定值:9420 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.9@1730A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
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VS-51MT160KPBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:INT-A-PAK-6,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:55 A; 浪涌电流额定值:410 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:2.68@150A V; 重复峰值断态电流:10 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
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FOD2712A,误差放大器光电耦合器,由Fairchild原厂生产,SO-8L_NB封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
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MBR30200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1090
MBR1090,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=90V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2030CT
MBR2030CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2045CT
MBR2045CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD20100CT
MBRD20100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=20A,Vr=100V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2040CT
MBR2040CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20150CT
MBR20150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=150V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ54005J
ADJ54005J,继电器,DPDT,16A,5VDC,100Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:50 mA; 线圈电阻:100 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN20024
AGN20024,继电器,DPDT,1A,24VDC,2.504KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:9.6 mA; 线圈电阻:2.504 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARX1106J
ARX1106J,继电器,SPDT,0.5A,6VDC,180Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Microwave Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:0.5 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:180 Ohm; 触点材质:Gold Clad; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-78B3-12V-016L
BR230-78B3-12V-016L,继电器,4PDT,10A,12V,78Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:153.85 mA; 线圈电阻:78 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1FDP12J
CB1FDP12J,继电器,SPDT,40(NO)/30(NC)A,12VDC,103Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:40(NO)/30(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:117 mA; 线圈电阻:103 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-290B3-28V-040M
BR230-290B3-28V-040M,继电器,4PDT,10A,28V,290Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:96.55 mA; 线圈电阻:290 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ACV31012J
ACV31012J,继电器,SPST-NO,20A,12VDC,142.3Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:142.3 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHTDP12J
CB1AHTDP12J,继电器,SPST-NO,40A,12VDC,103Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:40 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:117 mA; 线圈电阻:103 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN122X0J
AHN122X0J,继电器,SPDT,10ADC/16AAC,100VDC,18.87KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10DC|16AC A; DC直流线圈电压:100 V; 线圈电流:5.3 mA; 线圈电阻:18.87 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN210S24J
AGN210S24J,继电器,DPDT,1A,24VDC,4.8KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:5 mA; 线圈电阻:4.8 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DS1ES9J
DS1ES9J,继电器,SPDT,3A,9VDC,405Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:3 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:22.2 mA; 线圈电阻:405 Ohm; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-80C2-12V-013M
BR246-80C2-12V-013M,继电器,DPDT,10A,12V,80Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:150 mA; 线圈电阻:80 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ITR-20005
ITR-20005,凹槽型开关,由EVERLIGHT原厂生产,GAP3.8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,侧边带孔,长23.75mm宽6.35mm高10.5mm.,槽宽3.8mm,光缝宽0.5mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OS602LR
OS602LR,槽型开关,由CN原厂生产,GAP2-DIP封装,参数描述:高精度施密特输出,无固定孔,长9.2mm宽3.5mm高5.4mm,槽宽2mm,光缝宽1.2mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A1322ELH
A1322ELH,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SOT-23W封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-2308-015GA
MPS-2308-015GA,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SM5651-003-D-3-SR
SM5651-003-D-3-SR,力敏传感器,由SMI原厂生产,DIP封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-3128-200AC
MPS-3128-200AC,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-2303-006GA
MPS-2303-006GA,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-2307-006GC
MPS-2307-006GC,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A1305
A1305,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1A038RCK
GP1A038RCK,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAPDIP6封装,参数描述:高灵敏度,带连接器,长20.2mm宽12mm高8.8mm,槽宽1.7mm,光缝宽0.3mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OS70T4
OS70T4,槽型开关,由CN原厂生产,GAP8-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,带固定孔,长25.0mm宽6.0mm高12.5mm,槽宽8mm,光缝宽0.8mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
US1881KUA
US1881KUA,霍尔传感器,由Melexis原厂生产,SIDE-DIP3封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LNA4905L
LNA4905L,红外发射管,PANASONIC原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CQX48A
CQX48A,红外发射管,VISHAY原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LTE-4206
LTE-4206,红外发射管,LITEON原厂生产,TOP3-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH225FA
SFH225FA,光电二极管,由ORSAM原厂生产,SIDE-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HP-3ML
HP-3ML,硅光电池管,由KODENSHI原厂生产,TOP7.6-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,圆形直径7.6mm,直插2PIN,波长700-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HSDL-3203#021
HSDL-3203#021,红外数据头,由AGILENT原厂生产,铁壳8PIN封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
S8910-01
S8910-01,硅光电池管,由HAMAMATSU原厂生产,TOP-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH235FA
SFH235FA,光电二极管,由ORSAM原厂生产,SIDE-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH485
SFH485,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH229
SFH229,光电二极管,由ORSAM原厂生产,TOP-3-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SPD06E
SPD06E,硅光电池管,由CN原厂生产,TOP6X6-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片6mmX6mm,平,波长350-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SLR732AV-50K
SLR732AV-50K,红外发射管,SANYO原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
5KP26CE3
5KP26CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 107 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 46.6 V; 最大反向关态电压: 26 V; 最小击穿电压: 28.9 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP28AE3
5KP28AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 110 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 45.5 V; 最大反向关态电压: 28 V; 最小击穿电压: 31.1 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP7.0AE3
5KP7.0AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 417 A; 最大反向漏电流: 1000 uA; 最大钳位电压: 12 V; 最大反向关态电压: 7 V; 最小击穿电压: 7.78 V; 测试电流: 50 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE170CA-E3
1.5KE170CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 145V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 234 V; 最大反向关态电压: 145 V; 最小击穿电压: 162 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP110CE3
5KP110CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 110V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 26 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 196 V; 最大反向关态电压: 110 V; 最小击穿电压: 122 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE100AHE3
1.5KE100AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 137 V; 最大反向关态电压: 85.5 V; 最小击穿电压: 95 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP30CAE3
5KP30CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 103 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 48.4 V; 最大反向关态电压: 30 V; 最小击穿电压: 33.3 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP24AE3
5KP24AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 128 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 38.9 V; 最大反向关态电压: 24 V; 最小击穿电压: 26.7 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6384HE3
1N6384HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 70 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 17.1 V; 最大反向关态电压: 12 V; 最小击穿电压: 14.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6140A
1N6140A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 124 A; 最大反向漏电流: 100 uA; 最大钳位电压: 12.1 V; 最大反向关态电压: 6.2 V; 最小击穿电压: 7.79 V; 测试电流: 150 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE56AHE3
1.5KE56AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 47.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 77 V; 最大反向关态电压: 47.8 V; 最小击穿电压: 53.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP8.5CAE3
5KP8.5CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 347 A; 最大反向漏电流: 50 uA; 最大钳位电压: 14.4 V; 最大反向关态电压: 8.5 V; 最小击穿电压: 9.44 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL05A474KA5NNNC
CL05A474KA5NNNC,通用X5R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值470 nF,电压25 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度± 10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C470JBCNNNC
CL31C470JBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C1R8CBCNNNC
CL31C1R8CBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.8 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C100DB8NNNC
CL10C100DB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-0.5 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C820JA5NNNC
CL05C820JA5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值82 pF,电压25 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C131JB8NNNC
CL10C131JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值130 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL02A182KP2NNNC
CL02A182KP2NNNC,超小尺寸C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.8 nF,电压10 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度±10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C8R2CB5NNNC
CL05C8R2CB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值8.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C130JB5NNNC
CL05C130JB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值13 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C270JBANNND
CL21C270JBANNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值27 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
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CL21C220JBANNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值22 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C050BA3GNNC
CL03C050BA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值5 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度±0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562