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MBR2040FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1030
MBR1030,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1045CT
MBR1045CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20120FCT
MBR20120FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=120V,Vf=0.92V,Ir=0.04mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3050CT
MBR3050CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=50V,Vf=0.8V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2060FCT
MBR2060FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2050FCT
MBR2050FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=50V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ARE1009
ARE1009,继电器,SPDT,0.5A,9VDC,405Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Microwave Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:0.5 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:22.2 mA; 线圈电阻:405 Ohm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN220X1J
AHN220X1J,继电器,DPDT,5A,110VDC,22.83KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:5 A; DC直流线圈电压:110 V; 线圈电流:4.8 mA; 线圈电阻:22.83 KOhm; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARX1212J
ARX1212J,继电器,SPDT,0.5A,12VDC,360Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Microwave Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:0.5 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:360 Ohm; 触点材质:Gold Clad; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1ATM24J
CB1ATM24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DS1E-S-DC24V-R
DS1E-S-DC24V-R,继电器,SPDT,3A,24VDC,2.88KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:3 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:8.3 mA; 线圈电阻:2.88 KOhm; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-20B3-6V-008L
BR230-20B3-6V-008L,继电器,4PDT,10A,6V,20Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:300 mA; 线圈电阻:20 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1RM12J
CB1RM12J,继电器,SPDT,40(NO)/30(NC)A,12VDC,89.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:40(NO)/30(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:134 mA; 线圈电阻:89.5 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1V-R-12V
CB1V-R-12V,继电器,SPDT,35(NO)/25(NC)A,12VDC,89.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:35(NO)/25(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:134 mA; 线圈电阻:89.5 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARA220A24
ARA220A24,继电器,DPDT,1A,24VDC,2.88KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:8.3 mA; 线圈电阻:2.88 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DK1A-L2-3V-F
DK1A-L2-3V-F,继电器,SPST-NO,10A,3VDC,45Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:66.6 mA; 线圈电阻:45 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 65 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ24006J
ADJ24006J,继电器,SPST-NO,16A,6VDC,144Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:41.6 mA; 线圈电阻:144 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ALFG1PF12
ALFG1PF12,继电器,SPST-NO,22A,12VDC,103Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:22 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:117 mA; 线圈电阻:103 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 60 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
A3280LLT-T
A3280LLT-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SOT-89封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1A51HRJ00F
GP1A51HRJ00F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP3.0-DIP5封装,参数描述:高精度施密特输出,无固定孔,长12.2mm宽12.0mm高10.0mm,槽宽mm,光缝宽0.5mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
WG514
WG514,霍尔传感器,由AHNJ原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RPI-1391
RPI-1391,凹槽型开关,由ROHM原厂生产,GAP5-DIP5封装,参数描述:高精度施密特输出,长14.6mm宽6.0mm高10.0mm,槽宽4.0mm,光缝宽0.5mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MD61
MD61,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ME1-H2S
ME1-H2S,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP31-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-6000-015A
MPS-6000-015A,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,TOP5.8-SMD封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
R25-12A
R25-12A,声波传感器,由CN原厂生产,TOP12-DIP封装,参数描述:频率高,波长短,绕射现象小,方向性好,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S96J0000F
GP1S96J0000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP1.0-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,微型无固定孔,长3.5mm宽2.6mm高3.1mm,槽宽1.0mm,光缝宽0.3mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S566VJ00F
GP1S566VJ00F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP3.0-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ITR-8406
ITR-8406,凹槽型开关,由EVERLIGHT原厂生产,GAP2.6-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长14.0mm宽5.0mm高6.1mm,槽宽5.0mm,光缝宽0.5mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-3128-300AC
MPS-3128-300AC,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSTA7500
TSTA7500,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CND0208A
CND0208A,红外数据头,由PANASONIC原厂生产,8.2X2.05封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSML1040
TSML1040,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP1.8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HP-333
HP-333,光电二极管,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CND0312A
CND0312A,红外数据头,由PANASONIC原厂生产,6.7X2.15封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZHX1200
ZHX1200,红外数据头,由ZILOG原厂生产,6.8x2.8x封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SPS-501A-11
SPS-501A-11,硅光电池管,由SANYO原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRM1010E
IRM1010E,红外数据头,由INFINEON原厂生产,8P 9.8X3.4X4.0封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BS520
BS520,硅光电池管,由SHARP原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片4mmX4mm,蓝敏500-600nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSUS5402
TSUS5402,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP5-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
EL-302
EL-302,红外发射管,KODENSHI原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PIN8474-6
PIN8474-6,硅光电池管,由KODENSHI原厂生产,TOP-8-DIP3封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插3PIN. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1N6134A
1N6134A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 114V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 206.3 V; 最大反向关态电压: 114 V; 最小击穿电压: 142.5 V; 测试电流: 8 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP40E3
5KP40E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 70 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 71.4 V; 最大反向关态电压: 40 V; 最小击穿电压: 44.4 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP120CAE3
5KP120CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE12CAHE3
1.5KE12CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 89.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 16.7 V; 最大反向关态电压: 10.2 V; 最小击穿电压: 11.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA20HE3
1.5KA20HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 51.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 29.1 V; 最大反向关态电压: 16.2 V; 最小击穿电压: 18 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP14CE3
5KP14CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 14V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 194 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 25.8 V; 最大反向关态电压: 14 V; 最小击穿电压: 15.6 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
15KP130CA/TR8
15KP130CA/TR8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 130V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 72 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 209 V; 最大反向关态电压: 130 V; 最小击穿电压: 144 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE62CA-E3
1.5KE62CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 53V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 85 V; 最大反向关态电压: 53 V; 最小击穿电压: 58.9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE18CA-E3
1.5KE18CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 25.2 V; 最大反向关态电压: 15.3 V; 最小击穿电压: 17.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6300AG
1N6300AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 136V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 219 V; 最大反向关态电压: 136 V; 最小击穿电压: 152 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP13A-E3
5KP13A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 233 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 21.5 V; 最大反向关态电压: 13 V; 最小击穿电压: 14.4 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP6.5A-E3
5KP6.5A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 446 A; 最大反向漏电流: 2000 uA; 最大钳位电压: 11.2 V; 最大反向关态电压: 6.5 V; 最小击穿电压: 7.22 V; 测试电流: 50 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL02A102KP2NNNC
CL02A102KP2NNNC,超小尺寸C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 nF,电压10 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度±10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C150JCANNNC
CL21C150JCANNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值15 pF,电压100 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C180GBANNNC
CL21C180GBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值18 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 2 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C070DBANNNC
CL21C070DBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值7 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.5 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C5R6BB5NNNC
CL05C5R6BB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值5.6 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C470JIFNFNE
CL31C470JIFNFNE,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 pF,电压1000 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C470JGFNNNE
CL31C470JGFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 pF,电压500 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C221JB8NNND
CL10C221JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C080DA3GNNC
CL03C080DA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值8 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.5 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C3R3CA3GNNH
CL03C3R3CA3GNNH,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.3 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C221JBANNNC
CL21C221JBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
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CL31C221KGFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压500 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 10 %.咨询购买请致电:0755-83897562