NSVDTC144TM3T5G
NSVDTC144TM3T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
MMBT2907ALT1G
MMBT2907ALT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50@5...
2PA1774RMB,315
2PA1774RMB,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:180@1mA@6V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@5mA@50m...
NSBA114EDXV6T1G
NSBA114EDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
FMG6AT148
FMG6AT148,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
FMMT591
FMMT591,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=250mW,Ic=1000mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTD2058
KTD2058,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=3+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FMMT617TA
FMMT617TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最大集电极基极电压:15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:625 mW; 安装方式:Surface Mount....
BC848B-7-F
BC848B-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5m...
BCX71HE6327
BCX71HE6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:30@10uA@5V|180@2mA@5V|80@50mA@1V; 最大工作频率:250(Typ) MH...
STR2550
STR2550,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:500 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|100@50mA@10V|10@100mA@10V; 最大集电极发...
2SC5876T106R
2SC5876T106R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:180@50mA@2V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA@10...
KTA1274
KTA1274,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=400mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.4V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC560CG
BC560CG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:100@10uA@5V|380@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@...
DDTC144ELP-7
DDTC144ELP-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
BC860CW,135
BC860CW,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10...
2SA933AS
2SA933AS,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.5V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LBC846BPDW1T1G
LBC846BPDW1T1G,功率晶体管,品牌:LESHAN(LRC),封装:SC-88-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...
BUJ303A,127
BUJ303A,127,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:500 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:10@5mA@5V|14@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.6A@3A V; 工作温度:...
D45VH10G
D45VH10G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:35@2A@1V|20@4A@1V; 最大工作频率:50(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.8A@8...