FD400R12KE3
FD400R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:5-Pin 62MM,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:5; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:580 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致...
ATF-54143-TR2G
ATF-54143-TR2G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:120 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; ...
IRFSL7430
IRFSL7430,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.3mOhms,Id=409A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7424PBF-1
IRF7424PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,RDS(on) Max 4.5V=22.0mOhms,Qg Typ=75nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电...
STGWF30NC60S
STGWF30NC60S,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3PF-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...
IRFZ44V
IRFZ44V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.5mOhms,Id=55A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML0030PBF-1
IRLML0030PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=27.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SGW30N60FKSA1
SGW30N60FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
FF300R17KE3_S4ENG C#
FF300R17KE3_S4ENG C#,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 62MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:404 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致...
STGWT60V60DF
STGWT60V60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 t...
IRGC26B120KB
IRGC26B120KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=2.35V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AUIRGP4063D
AUIRGP4063D,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:96 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF9335
IRF9335,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=59.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=110.0mOhms,Qg Typ=4.7nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
FZ3600R12KE3
FZ3600R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM190-9,参数:配置:Triple Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:4700 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; ...
IRFB4310Z
IRFB4310Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=127A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGH20N60UFDTU
FGH20N60UFDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFH5020
IRFH5020,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=55.0mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGB20V60DF
STGB20V60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-55 t...
IHW40N135R3FKSA1
IHW40N135R3FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1350 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 17...
BF256B
BF256B,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562