注册账号 | 忘记密码
IRFH6200,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AT24C02C-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原...
SN74HCT574DWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
25320B-SSHL-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...
CD4051BM96 CMOS电路,数字逻辑IC由TI原厂...
74VHCT08AM超高速CMOS逻辑IC由FAIRCHIL...
MC1413BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原厂...
24C02N-10SU1.8存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
CD74HC4051PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
24C08C-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...