IRGB4615DPBF
IRGB4615DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:23 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及...
IKW15N120H3FKSA1
IKW15N120H3FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...
IRFS4510
IRFS4510,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.9mOhms,Id=61A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGSL4B60KD1
IRGSL4B60KD1,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7.6A,Vce(ON)@25C typ=2.10V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLL2703
IRLL2703,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7410PBF-1
IRF7410PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-12V,VGs=8V,RDS(on) Max 4.5V=7.0mOhms,Qg Typ=91.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB3813
IRLB3813,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.95mOhms,Id=260A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HGT1S10N120BNS
HGT1S10N120BNS,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-263AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:07...
IRF9310PBF-1
IRF9310PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.6mOhms,RDS(on) Max 4.5V=6.8mOhms,Qg Typ=110nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:...
IRLHM620
IRLHM620,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGD19N40LZ
STGD19N40LZ,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:425 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:16 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-55 to ...
BSM100GB170DL,C-SERI
BSM100GB170DL,C-SERIE,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 62MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请...
IRF1405S
IRF1405S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.3mOhms,Id=131A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR8103V
IRLR8103V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=89A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7085
IRFH7085,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.2mOhms,Id=147A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1104L
IRF1104L,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS15R06XL4
FS15R06XL4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:15-Pin EASY1,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:15; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-838...
RJH60F4DPQ-A0#T0
RJH60F4DPQ-A0#T0,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:TO-247A-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFR5410
IRFR5410,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=205.0mOhms,Qg Typ=38.7nC,Rth(JC)=1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C=66W,Id@TC 25C=13A,库...
FP20R06W1E3_B11
FP20R06W1E3_B11,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-23,参数:配置:Array 7; 通道类型:N; 引脚数目:23; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:27 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购...