VS-GT140DA60U
VS-GT140DA60U,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Vishay,封装:SOT-227-4,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及购买...
FS75R12KE3G
FS75R12KE3G,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:35-Pin ECONoPACK 3B,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:35; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:105 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致...
FZ400R12KE3B1HOSA1
FZ400R12KE3B1HOSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:5-Pin 62MM,参数:配置:Single Dual Collector Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:5; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:650 A; 最大栅极发射极电压...
IGW60T120
IGW60T120,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
FGA50N100BNTDTU
FGA50N100BNTDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3P(N)-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1000 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:07...
IRF6721S
IRF6721S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.3mOhms,Id=60A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGA60N60UFDTU
FGA60N60UFDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3P(N)-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...
SKW30N60
SKW30N60,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8...
IRG4PC50F-E
IRG4PC50F-E,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247AD封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=39A,Vce(ON)@25C typ=1.45V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4063D1PBF
IRGP4063D1PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
2N4339
2N4339,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-206AA-2,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-50 V; 最大漏极栅极电压:-50 V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FZ3600R17KE3
FZ3600R17KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM190-9,参数:配置:Triple; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:4800 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
IRGS4062DPBF
IRGS4062DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:48 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFB3004
IRFB3004,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.75mOhms,Id=340A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKP10N60T
IKP10N60T,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRFB4310
IRFB4310,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,Id=130A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZ1200R45KL3B5NOSA1
FZ1200R45KL3B5NOSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:9-Pin,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:4500 V; 最大连续集电极电流:1200(Typ) A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-...
IRF9530N
IRF9530N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,Qg Typ=38.7nC,Rth(JC)=1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C=79W,Id@TC 25C=-1...
IRG4CC60UB
IRG4CC60UB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC75B120KB
IRGC75B120KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=2.1V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562