IKW50N60TFKSA1
IKW50N60TFKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRG4MC50FSCX
IRG4MC50FSCX,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-254AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRG4BC15UD
IRG4BC15UD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7.8A,Vce(ON)@25C typ=2.02V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TGI7785-25L
TGI7785-25L,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin,参数:配置:Single; 最大漏源电压:50 V; 最大连续漏极电流:8000 mA; 最大门源电压:-10 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
GB10XF120K
GB10XF120K,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:17-Pin ECONO2 6PACK,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:17; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07...
IRGC35B60PB
IRGC35B60PB,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.85V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4RC10UD
IRG4RC10UD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=5A,Vce(ON)@25C typ=2.15V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP35B60PD-E
IRGP35B60PD-E,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247AD封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=34A,Vce(ON)@25C typ=2.25V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FF800R12KL4C
FF800R12KL4C,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM-10,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:10; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:1250 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-838...
IHW30N100T
IHW30N100T,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1000 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
PMBFJ111,215
PMBFJ111,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:40 V; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买...
STGP30H65F
STGP30H65F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to...
IKW25T120FKSA1
IKW25T120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
ATF-531P8-BLK
ATF-531P8-BLK,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:LPCC-8,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:7 V; 最大连续漏极电流:300 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-7 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
FGH60N60SMD_F085
FGH60N60SMD_F085,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 1...
IRF6665
IRF6665,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SH封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=62.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM200GA170DLC
BSM200GA170DLC,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:4-Pin 62MM,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:400 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw....
PMBFJ620,115
PMBFJ620,115,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRG4CC30SB
IRG4CC30SB,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW19NC60WD
STGW19NC60WD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:42 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...