IRF6797M
IRF6797M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,Id=210A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IHW40N60RF
IHW40N60RF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
IRFB7746
IRFB7746,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=10.6mOhms,Id=59A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM200GA120DN2
BSM200GA120DN2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:5-Pin 62MM,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:5; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:300 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07...
STGWT30V60DF
STGWT30V60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询...
AUIRG4BC30U-S
AUIRG4BC30U-S,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:23 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG8CH29K10F
IRG8CH29K10F,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7805ZPBF-1
IRF7805ZPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4266PBF
IRGP4266PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:140 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及...
GT60M303(Q)
GT60M303(Q),绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Toshiba,封装:TO-3P(LH)-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:900 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
TIM3742-45SL
TIM3742-45SL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:Trans,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:20000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FGA50N100BNTDTU
FGA50N100BNTDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3P(N)-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1000 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:07...
STGF7NB60SL
STGF7NB60SL,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:15 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
BF1108,215
BF1108,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-4,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
IRGP30B120KD-E
IRGP30B120KD-E,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
BSM200GB120DLC
BSM200GB120DLC,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 62MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:420 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
STGD18N40LZT4
STGD18N40LZT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:360 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:12 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价...
IRGC15B120KB
IRGC15B120KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=15A,Vce(ON)@25C typ=2.46V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP3306
IRFP3306,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.2mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKW50N60TFKSA1
IKW50N60TFKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...