MCH5908G-TL-E
MCH5908G-TL-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-5,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
IRG7PH50U
IRG7PH50U,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=90A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFML8244
IRFML8244,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=24.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6893M
IRF6893M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=1.6mOhms,Id=168A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NGTB40N60IHLWG
NGTB40N60IHLWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报价及...
FGH15T120SMD_F155
FGH15T120SMD_F155,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to ...
FZ800R33KL2C
FZ800R33KL2C,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHV130-7,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:3300 V; 最大连续集电极电流:1500 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
IHD06N60RAATMA1
IHD06N60RAATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175...
FZ1800R17KF4
FZ1800R17KF4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-9,参数:配置:Triple Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:1800 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; ...
IRFR2405
IRFR2405,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-GB90DA120U
VS-GB90DA120U,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:SOT-227-4,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:149 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温...
IRG4BC20W-S
IRG4BC20W-S,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=6.5A,Vce(ON)@25C typ=2.16V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4321
IRFP4321,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=15.5mOhms,Id=78A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR3806
IRFR3806,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.8mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ34NS
IRFZ34NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=29A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGSL6B60KD
IRGSL6B60KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7A,Vce(ON)@25C typ=1.80V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SGP30N60HS
SGP30N60HS,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...
IRFSL7730
IRFSL7730,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.6mOhms,Id=246A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW45NC60WD
STGW45NC60WD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:90 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...
SGB30N60ATMA1
SGB30N60ATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...