注册账号 | 忘记密码
IRFH8330,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.6mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
74HC373D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
74HC541D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用7...
AT24C04B-PU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,...
89C4051-12SU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产...
74LVC1G18GW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...
AT93C46D-PU存储器,存储芯片,3线串行EEPROM...
45DB161D-TU存储器,16M闪存存储器由ATMEL原...
24C04BN-SH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产...
SN74LVC1G00DCKR低功耗CMOS逻辑IC由TI原...