IRFH8325,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.0mOhms,Id=82A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
74HCT08D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
AT25256AW-10SU27存储器,存储芯片由ATMEL...
CD4066BM96 CMOS电路,数字逻辑IC由TI原厂生...
74HC365D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
74LVC125APW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...
SN74HC125DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采...
SN74HCT574DWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
93C66A-10PU27存储器,存储芯片,3线串行EEPR...
74LVC16245ADGG低功耗CMOS逻辑IC由NXP原...