注册账号 | 忘记密码
IRF6629,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.1mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SN74HCT245DWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
SN74HC595DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采...
MC14051BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原...
74AHC32D先进高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采...
AT24C32AN-10SU18存储器,存储芯片由ATMEL...
74LVC14APW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,...
AT24C16AN-10SU2.7存储器,存储芯片由ATME...
AT24C128BN-SH-T存储器,存储芯片由ATMEL原...
91SAM7S64C-AU单片机,ARM核心微控制器由ATM...