IRF7469
IRF7469,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=17.0mOhms,Id=9.0A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH8202
IRFH8202,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.05mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFI1310N
IRFI1310N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=36.0mOhms,Id=22A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7601
IRF7601,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1404L
IRF1404L,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,Id=162A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3516S02-T1C-A
NE3516S02-T1C-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:60 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
IRFP044N
IRFP044N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=20.0mOhms,Id=49A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7430
IRFS7430,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.3mOhms,Id=409A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU3910
IRFU3910,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=115mOhms,Id=9.5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7534
IRFS7534,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=195A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLI520N
IRLI520N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=180.0mOhms,Id=7.7A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7483M
IRF7483M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MF封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.3mOhms,Id=135A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP7430
IRFP7430,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.3mOhms,Id=404A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB59N10D
IRFB59N10D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=25.0mOhms,Id=59A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF4093
MMBF4093,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF7799L2
IRF7799L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=250V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=38.0mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR2705
IRLR2705,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=28A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
3SK264-5-TG-E
3SK264-5-TG-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-4,参数:配置:Single Dual Gate; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:30 mA; 最大门源电压:8 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0...
IRLI530N
IRLI530N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=11A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML2060
IRLML2060,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=480.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562