IRFR1205
IRFR1205,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=27.0mOhms,Id=37A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS4010-7P
IRFS4010-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,Id=190A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU3707Z
IRFU3707Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.5mOhms,Id=39A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP1405
IRFP1405,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.3mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH8325
IRFH8325,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.0mOhms,Id=82A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7401
IRF7401,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF640N
IRF640N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=150.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBFJ310LT3G
MMBFJ310LT3G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFU4620
IRFU4620,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=78mOhms,Id=17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR2908
IRLR2908,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=80V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=28.0mOhms,Id=39A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU120N
IRFU120N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=210mOhms,Id=5.8A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR3105
IRLR3105,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=37.0mOhms,Id=25A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFI1310N
IRFI1310N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=36.0mOhms,Id=22A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5104
IRFH5104,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.5mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR4620
IRFR4620,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=78.0mOhms,Id=24A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6665
IRF6665,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SH封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=62.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSR57
BSR57,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFH8307
IRFH8307,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.3mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBFJ211
MMBFJ211,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRL3803S
IRL3803S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=140A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562