IRLR3802
IRLR3802,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=12V,VGs=12V,Id=84A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CLF1G0035-100,112
CLF1G0035-100,112,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-467C-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150 V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFH8325
IRFH8325,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.0mOhms,Id=82A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MCH3914-8-TL-H
MCH3914-8-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
IRFS3307Z
IRFS3307Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.8mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J111
J111,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
CLF1G0035S-100PU
CLF1G0035S-100PU,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:CDFM-4,参数:配置:Dual Common Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150(Min) V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
IRFR2607Z
IRFR2607Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,Id=45A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3610S
IRF3610S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.6mOhms,Id=103A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM4234
IRFHM4234,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.4mOhms,Id=63A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR3704Z
IRFR3704Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=60A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4227
IRFP4227,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=25.0mOhms,Id=65A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7455
IRF7455,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=7.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2807
IRF2807,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.0mOhms,Id=82A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8788PBF-1
IRF8788PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL1004
IRL1004,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,Id=130A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7809AV
IRF7809AV,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-34143-BLKG
ATF-34143-BLKG,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5.5 V; 最大连续漏极电流:145 mA; 最大门源电压:-5 V; 最大漏极栅极电压:-5 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...
IRFS4615
IRFS4615,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42.0mOhms,Id=33A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6633A
IRF6633A,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MU封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.6mOhms,Id=69A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562