IRFZ48VS
IRFZ48VS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=72A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU7546
IRFU7546,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.9mOhms,Id=71A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL2910
IRL2910,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=26.0mOhms,Id=48A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4229
IRFB4229,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=250V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=46.0mOhms,Id=46A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR2905Z
IRLR2905Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,Id=60A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF540NS
IRF540NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=44.0mOhms,Id=33A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLU2905
IRLU2905,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=27mOhms,Id=23A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR7746
IRFR7746,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-PAK封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.2mOhms,Id=59A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3805S
IRF3805S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=220A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR2905
IRLR2905,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=27.0mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF862,235
BF862,235,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:20 V; 最大连续漏极电流:40 mA; 最大门源电压:-20 V; 最大漏极栅极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
2SK545-11D-TB-E
2SK545-11D-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:40 V; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRFR7440
IRFR7440,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MX2N4856
MX2N4856,场效应晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-18-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:40 V; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电...
2SK715W
2SK715W,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SPA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
NE3509M04-A
NE3509M04-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:60 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Su...
IRFU7746
IRFU7746,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-PAK封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.2mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4227
IRFB4227,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=26.0mOhms,Id=65A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5015
IRFH5015,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=31.0mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7734
IRFB7734,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.5mOhms,Id=183A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562