IRF6729M
IRF6729M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=190A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7807VPBF-1
IRF7807VPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLH5030
IRLH5030,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML2502
IRLML2502,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4110
IRFB4110,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4510
IRFB4510,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMBFJ620,115
PMBFJ620,115,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
IJW120R070T1FKSA1
IJW120R070T1FKSA1,场效应晶体管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:1200 V; 最大连续漏极电流:0.035 mA; 最大门源电压:2 V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价...
IRL540NS
IRL540NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=44.0mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7483M
IRF7483M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MF封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.3mOhms,Id=135A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLU3705Z
IRLU3705Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=8mOhms,Id=63A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TTK101MFV-A,L37F(B)
TTK101MFV-A,L37F(B),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:2 V; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRL3103S
IRL3103S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=64A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6775M
IRF6775M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=56.0mOhms,Id=28A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML0030PBF-1
IRLML0030PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=27.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7530
IRFS7530,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.0mOhms,Id=295A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR812
IRFR812,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=500V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2200.0mOhms,Id=3.6A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4610
IRFB4610,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=14.0mOhms,Id=73A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6727M
IRF6727M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK2145-Y(TE85L,F)
2SK2145-Y(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:SOT-25-5,参数:配置:Dual Common Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:10 V; 最大连续漏极电流:14 mA; 最大门源电压:-1.5 V; 最大漏极栅极电压:50 V; 工作温度:-55 to 125 ...