IRL3803V
IRL3803V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=5.5mOhms,Id=140A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TF262TH-5-TL-H
TF262TH-5-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-623-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFS7730-7P
IRFS7730-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2mOhms,Id=269A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU7746
IRFU7746,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-PAK封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.2mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3503M04-A
NE3503M04-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Su...
IRF6898M
IRF6898M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=1.1mOhms,Id=213A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU3704Z
IRFU3704Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6712S
IRF6712S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.9mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TF410-TL-H
TF410-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:USFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:40 V; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
IRF7455
IRF7455,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=7.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CLF1G0060S-10U
CLF1G0060S-10U,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:CDFM-2,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150(Min) V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRLB3036
IRLB3036,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6617
IRF6617,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ST封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.1mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3610S
IRF3610S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.6mOhms,Id=103A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4410
IRFB4410,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=10.0mOhms,Id=96A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB8721
IRLB8721,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.7mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL4310Z
IRFSL4310Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=127A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7946
IRF7946,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,Id=198A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU7540
IRFU7540,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4229
IRFB4229,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=250V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=46.0mOhms,Id=46A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562