IRFSL7437
IRFSL7437,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=250A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL3004
IRFSL3004,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.75mOhms,Id=340A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2807S
IRF2807S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.0mOhms,Id=82A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TF408-2-TL-H
TF408-2-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:USFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
MMBF4416A
MMBF4416A,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF8736
IRF8736,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS4010
IRFS4010,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.7mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8308M
IRF8308M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,Id=150A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3709
IRF3709,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=90A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7580M
IRF7580M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ME封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.6mOhms,Id=116A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK932-22-TB-E
2SK932-22-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRF7450
IRF7450,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=170.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J112_D26Z
J112_D26Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
2SK3796-4-TL-E
2SK3796-4-TL-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SMCP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
NE3520S03-T1C-A
NE3520S03-T1C-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
IRF7853
IRF7853,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=18.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL540N
IRL540N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=44.0mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MX2N4856
MX2N4856,场效应晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-18-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:40 V; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电...
IRLU2703
IRLU2703,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=45mOhms,Id=14A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J211_D74Z
J211_D74Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562