TF408-3-TL-HX
TF408-3-TL-HX,场效应晶体管,品牌:ON,封装:USFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
IRLH7134
IRLH7134,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=134A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF861B,215
BF861B,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
J111_D26Z
J111_D26Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-838975...
IRFB4310Z
IRFB4310Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=127A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4858A-E3
2N4858A-E3,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-206AA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 200 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFU220N
IRFU220N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=600mOhms,Id=3.5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF4393LT3G
MMBF4393LT3G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
2SK208-O(TE85L,F)
2SK208-O(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1.4 mA; 最大漏极栅极电压:50 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRF7769L2
IRF7769L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.5mOhms,Id=124A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MCH3914-7-TL-H
MCH3914-7-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
CLF1G0060S-10U
CLF1G0060S-10U,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:CDFM-2,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150(Min) V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRLP3034
IRLP3034,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=327A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK208-Y(TE85R,F)
2SK208-Y(TE85R,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:3 mA; 最大漏极栅极电压:50 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
IRL520NS
IRL520NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=180.0mOhms,Id=10A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS4321-7P
IRFS4321-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=14.7mOhms,Id=86A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1010NS
IRF1010NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,Id=84A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFBA90N20D
IRFBA90N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Super 220 (TO-273AA)封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=23.0mOhms,Id=98A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR9N20D
IRFR9N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=380.0mOhms,Id=9.4A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMBFJ113,215
PMBFJ113,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:40 V; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...