IRF7480M
IRF7480M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ME封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.2mOhms,Id=217A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLHM620
IRLHM620,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6721S
IRF6721S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.3mOhms,Id=60A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6714M
IRF6714M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.1mOhms,Id=166A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6617
IRF6617,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ST封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.1mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML2402
IRLML2402,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH8311
IRFH8311,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.1mOhms,Id=169A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7762
IRFS7762,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.7mOhms,Id=85A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHS8342
IRFHS8342,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=19A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP7718
IRFP7718,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=355A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-38143-TR1G
ATF-38143-TR1G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4.5 V; 最大连续漏极电流:145 mA; 最大门源电压:-4 V; 最大漏极栅极电压:-4 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...
IRF3709S
IRF3709S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=90A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR3410
IRLR3410,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=105.0mOhms,Id=15A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6894M
IRF6894M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=1.3mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J310G
J310G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFS7534-7P
IRFS7534-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.95mOhms,Id=240A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7185
IRFH7185,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.2mOhms,Id=123A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2807Z
IRF2807Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.4mOhms,Id=89A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1010ZS
IRF1010ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.5mOhms,Id=94A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6718L2
IRF6718L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L6封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=0.70mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562