IRFS7734-7P
IRFS7734-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.05mOhms,Id=197A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLH6224
IRLH6224,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLU3802
IRLU3802,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=12V,VGs=12V,Id=60A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6726M
IRF6726M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL3206
IRFSL3206,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.0mOhms,Id=210A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBFJ108
MMBFJ108,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SuperSOT-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-838...
IRFR3806
IRFR3806,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.8mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3514S02-A
NE3514S02-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
IRFR3410
IRFR3410,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=39.0mOhms,Id=31A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6637
IRF6637,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MP封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.7mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS3806
IRFS3806,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.8mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2907ZS-7P
IRF2907ZS-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.8mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7488
IRF7488,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=80V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=29.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML2030
IRLML2030,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP2907
IRFP2907,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=209A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2807S
IRF2807S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.0mOhms,Id=82A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7537
IRFS7537,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=173A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7749L2
IRF7749L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.5mOhms,Id=200A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH8303
IRFH8303,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.1mOhms,Id=280A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFL024Z
IRFL024Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=57.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562