IRLR8103V
IRLR8103V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=89A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLH5030
IRLH5030,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB3307
IRFB3307,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.3mOhms,Id=130A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4410Z
IRFB4410Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=97A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS4115-7P
IRFS4115-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.8mOhms,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB3034
IRLB3034,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=343A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH8318
IRFH8318,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.1mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB59N10D
IRFB59N10D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=25.0mOhms,Id=59A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLU2905Z
IRLU2905Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MCH5908G-TL-E
MCH5908G-TL-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-5,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
IRF3205ZS
IRF3205ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR4615
IRFR4615,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42.0mOhms,Id=33A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7805PBF-1
IRF7805PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7936
IRFH7936,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 A封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,Id=76A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6797M
IRF6797M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,Id=210A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8252PBF-1
IRF8252PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.7mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2907ZS
IRF2907ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=170A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL3306
IRFSL3306,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.2mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR3114Z
IRLR3114Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=130A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK715U
2SK715U,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SPA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...