IRFS7787
IRFS7787,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=76A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6637
IRF6637,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MP封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.7mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBFJ310LT1G
MMBFJ310LT1G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF7811AVPBF-1
IRF7811AVPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7437-7P
IRFS7437-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,Id=295A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5306
IRFH5306,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.1mOhms,Id=45A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7085
IRFH7085,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.2mOhms,Id=147A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6724M
IRF6724M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,Id=150A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6710S2
IRF6710S2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET S1封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.9mOhms,Id=37A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR8743
IRLR8743,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.1mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLL014N
IRLL014N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=140.0mOhms,Id=2.0A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1405Z
IRF1405Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.9mOhms,Id=150A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4768
IRFP4768,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=250V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=17.5mOhms,Id=93A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7402
IRF7402,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR120Z
IRFR120Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=190.0mOhms,Id=8.7A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF520N
IRF520N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,Id=9.7A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR3717
IRLR3717,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.2mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7855
IRF7855,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.4mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8306M
IRF8306M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,Id=140A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK208-R(TE85L,F)
2SK208-R(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:0.75 mA; 最大漏极栅极电压:50 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...