2N4392
2N4392,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-206AA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRG7PH35UD-EP
IRG7PH35UD-EP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报...
SKW30N60HSFKSA1
SKW30N60HSFKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
BSM10GP60
BSM10GP60,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONoPIM2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
IKP04N60TXKSA1
IKP04N60TXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:8 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRGIB7B60KDPBF
IRGIB7B60KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
FP10R12KE3
FP10R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:23-Pin EASY2,参数:配置:Array 7; 通道类型:N; 引脚数目:23; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:15 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:075...
IRLZ44N
IRLZ44N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,Id=41A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J105
J105,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
IRGC4056F
IRGC4056F,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.55V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZ2400R17HE4B9NPSA1
FZ2400R17HE4B9NPSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM-B-9,参数:配置:Triple; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:2400 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 ...
IRFP4868
IRFP4868,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=300V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=32.0mOhms,Id=70A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGP10NB60SD
STGP10NB60SD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:29 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...
IRFR2307Z
IRFR2307Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=53A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR8103V
IRLR8103V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=89A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC4066B
IRGC4066B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6810S
IRF6810S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET S1封装,参数为:VBrds=25V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=5.2mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4CC40FB
IRG4CC40FB,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.5V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NGTB30N60FLWG
NGTB30N60FLWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报价及购...
FF650R17IE4D_B2
FF650R17IE4D_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-10,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:10; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:930 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买...