IRGC4045B
IRGC4045B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4066-EPBF
IRGP4066-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:140 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IRLML6302TRPBF-1
IRLML6302TRPBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=600.0mOhms,Qg Typ=2.4nC,Rth(JC)=230 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83...
FF450R17ME3
FF450R17ME3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:ECONOD-11,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:11; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:605 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
NGTB15N120IHRWG
NGTB15N120IHRWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200(Min) V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ...
VS-50MT060WHTAPBF
VS-50MT060WHTAPBF,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:MTP-12,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:12; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:114 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRFB4137
IRFB4137,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=300V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=69.0mOhms,Id=38A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6678
IRF6678,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7CH44K10EF
IRG7CH44K10EF,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=1.90V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB8314
IRLB8314,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=171A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS100R17KE3
FS100R17KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:42-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:42; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:145 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买...
IRLMS1503PBF-1
IRLMS1503PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7506
IRF7506,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=450mOhms,Rth(JA)=100C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBFJ270_R2_00001
MMBFJ270_R2_00001,场效应晶体管,品牌:Panjit,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IRGC4063B
IRGC4063B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.65V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IGW15T120FKSA1
IGW15T120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
FGH60N60SFTU
FGH60N60SFTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
NE3503M04-T2-A
NE3503M04-T2-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式...
IRGC4271B
IRGC4271B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=75A,Vce(ON)@25C typ=1.60V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PC30S
IRG4PC30S,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=18A,Vce(ON)@25C typ=1.95V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562