FP50R12KT4
FP50R12KT4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:23-Pin ECONO 2,参数:配置:Array 7; 通道类型:N; 引脚数目:23; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0...
IHW40N60T
IHW40N60T,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRFR7540
IRFR7540,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GB15RF120K
GB15RF120K,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:24-Pin ECONO2 PIM,参数:配置:Array 7; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:...
FS75R12KT3G
FS75R12KT3G,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:42-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:42; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:075...
IRFB7546
IRFB7546,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.3mOhms,Id=53A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RGT8BM65DTL
RGT8BM65DTL,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Rohm,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:8 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及购...
TIM1213-8L
TIM1213-8L,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11C1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:10400 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
STGW25H120F2
STGW25H120F2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55...
VS-GA300TD60S
VS-GA300TD60S,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:Dual INT-A-Pak-7,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:530 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07...
IRF7343Q
IRF7343Q,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=55V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=65.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=170.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=50.0mOhms,RDS(on)10V P-ch...
IRF9956
IRF9956,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=200mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7PSH50UD
IRG7PSH50UD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Super 247 (TO-274AA)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=70A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NGB18N40ACLBT4G
NGB18N40ACLBT4G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:430 V; 最大连续集电极电流:18 A; 最大栅极发射极电压:18 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8...
IRF9335
IRF9335,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=59.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=110.0mOhms,Qg Typ=4.7nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
IRLU024N
IRLU024N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=65mOhms,Id=11A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3510M04-A
NE3510M04-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:97 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Su...
IHW40T120FKSA1
IHW40T120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRF7309PBF-1
IRF7309PBF-1,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=80.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=160.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=50.0mOhms,RDS(on)10V ...
IRF5210
IRF5210,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Qg Typ=120.0nC,Rth(JC)=0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C=200W,Id@TC 25C=-...