FGP15N60UNDF
FGP15N60UNDF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRGP4790
IRGP4790,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=90A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGH40N60SMDF
FGH40N60SMDF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0...
RJH1CD7DPQ-E0#T2
RJH1CD7DPQ-E0#T2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
FP15R12KS4C
FP15R12KS4C,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONO 2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
FZ3600R12KE3
FZ3600R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM190-9,参数:配置:Triple Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:4700 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; ...
IRG8CH15K10F
IRG8CH15K10F,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=10A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM831
IRFHM831,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.8mOhms,Id=47A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM30GD60DLC
BSM30GD60DLC,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:17-Pin ECONoPACK 2A,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:17; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报...
IRGS4620DTRLPBF
IRGS4620DTRLPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:32 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价...
RJH1CF7RDPQ-80#T2
RJH1CF7RDPQ-80#T2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:TO-247,参数:配置:Single; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:60 A; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
CLY29-10(P)
CLY29-10(P),场效应晶体管,品牌:Infineon,封装:MWP-25-3,参数:配置:Single; 最大漏源电压:14 V; 最大连续漏极电流:700 mA; 最大门源电压:-6 V; 最大漏极栅极电压:16 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
NGTB60N60SWG
NGTB60N60SWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报价及购...
2SK3796-2-TL-E
2SK3796-2-TL-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SMCP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
IRF7779L2
IRF7779L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,Id=67A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM5964-30SL
TIM5964-30SL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:20000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
ATF-511P8-TR1
ATF-511P8-TR1,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:LPCC-8,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:7 V; 最大连续漏极电流:1000 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
IRFI4321
IRFI4321,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=34A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGB4B60KPBF
IRGB4B60KPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRGSL4062D
IRGSL4062D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=24A,Vce(ON)@25C typ=1.60V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562