FF200R33KF2C
FF200R33KF2C,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM73-8,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:8; 最大集电极发射极电压:3300 V; 最大连续集电极电流:330 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389...
SGP23N60UFTU
SGP23N60UFTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:23 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRG4CH50UB
IRG4CH50UB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=2.78V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7425
IRF7425,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=8.2mOhms,Qg Typ=87.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGPF50N33BTTU
FGPF50N33BTTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220F-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:330 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
STGW30NC60VD
STGW30NC60VD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...
FF400R07KE4
FF400R07KE4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:485 A; 最大栅极发射极电压:±20 V. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG4PC60U
IRG4PC60U,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=40A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7PH46UDPBF
IRG7PH46UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:108 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRGB6B60K
IRGB6B60K,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7A,Vce(ON)@25C typ=1.80V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM5867-15UL
TIM5867-15UL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:12000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07...
IRF6729M
IRF6729M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=190A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGPF4565
FGPF4565,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220F-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:170 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询...
AUIRGS30B60KTRL
AUIRGS30B60KTRL,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:78 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
RGTH00TS65DGC11
RGTH00TS65DGC11,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Rohm,封装:TO-247N-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:85 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. ...
IRGC4615B
IRGC4615B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.55V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4790D-EPBF
IRGP4790D-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:140 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询...
ATF-34143-TR2G
ATF-34143-TR2G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5.5 V; 最大连续漏极电流:145 mA; 最大门源电压:-5 V; 最大漏极栅极电压:-5 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...
IRLH5036
IRLH5036,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=4.4mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB3034
IRLB3034,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=343A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562