IRFSL3006
IRFSL3006,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGB3245G2_F085
FGB3245G2_F085,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-263AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:480 V; 最大连续集电极电流:23 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 1...
VCR2N-E3
VCR2N-E3,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-226AA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFP4668
IRFP4668,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=9.7mOhms,Id=130A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7PSH50UD
IRG7PSH50UD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Super 247 (TO-274AA)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=70A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BFR31,215
BFR31,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
IRFB4321
IRFB4321,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,Id=83A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4310Z
IRFB4310Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=127A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW45HF60WDI
STGW45HF60WDI,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
IRGC30B60KB
IRGC30B60KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.95V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HGTP14N36G3VL
HGTP14N36G3VL,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:390 V; 最大连续集电极电流:18 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFZ46NL
IRFZ46NL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.5mOhms,Id=37A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGD7NC60HT4
STGD7NC60HT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价...
FP10R06KL4
FP10R06KL4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:EasyPIM2-20,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:20; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389...
IRFP7530
IRFP7530,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.0mOhms,Id=281A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM4450-8UL
TIM4450-8UL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11D1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:7000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
STGB35N35LZT4
STGB35N35LZT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:380 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:16 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
IRG4BC20FD
IRG4BC20FD,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=9A,Vce(ON)@25C typ=1.66V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FF800R12KL4C
FF800R12KL4C,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM-10,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:10; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:1250 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-838...
SGB30N60
SGB30N60,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...