IRFH5110
IRFH5110,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.4mOhms,Id=63A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7934
IRFH7934,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 A封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.5mOhms,Id=76A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL3705NS
IRL3705NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=10.0mOhms,Id=89A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4BC20F
IRG4BC20F,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=9A,Vce(ON)@25C typ=1.66V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM8363
IRFHM8363,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3 E封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=20.4mOhms,Rth(JA)=47C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZ1200R33KL2C_B5
FZ1200R33KL2C_B5,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHV190-9,参数:配置:Triple; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:3300 V; 最大连续集电极电流:2300 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0...
STGPL6NC60DI
STGPL6NC60DI,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:14 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...
NGTB30N120LWG
NGTB30N120LWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IKB10N60TATMA1
IKB10N60TATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRF7807VD1
IRF7807VD1,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SGH40N60UFDTU
SGH40N60UFDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3P(N)-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFH7932
IRFH7932,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 A封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=104A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM830D
IRFHM830D,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.3mOhms,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4CC40KB
IRG4CC40KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=2.1V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB8314
IRLB8314,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=171A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4CC30SB
IRG4CC30SB,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG8P60N120KD-EPBF
IRG8P60N120KD-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150...
FS225R12KE4
FS225R12KE4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:29-Pin ECONOPP,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:29; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:320 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:075...
IRF6795M
IRF6795M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU3704Z
IRFU3704Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562