HGTG12N60C3D
HGTG12N60C3D,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:24 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRLML2246
IRLML2246,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=135.0mOhms,Qg Typ=2.9nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6655
IRF6655,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SH封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=62.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL6372
IRL6372,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=17.9mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7932
IRFH7932,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 A封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=104A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML6246
IRLML6246,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGWT60H65FB
STGWT60H65FB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 t...
IRFH5302
IRFH5302,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.1mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGD8NC60KDT4
STGD8NC60KDT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:15 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电...
STGB20NC60V
STGB20NC60V,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:...
IRF6609
IRF6609,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG8P08N120KDPBF
IRG8P08N120KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:15 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ℃....
FGA30T65SHD
FGA30T65SHD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3PN-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. ...
FP10R06KL4_B3
FP10R06KL4_B3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:20-Pin EASY2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:20; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
IRG4PH40UPBF
IRG4PH40UPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRFZ46N
IRFZ46N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.5mOhms,Id=46A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGS30B60KTRRP
IRGS30B60KTRRP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:78 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRLR8103V
IRLR8103V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=89A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AUIRG4PH50S
AUIRG4PH50S,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:57 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRFH7188
IRFH7188,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6mOhms,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562