IRG4PH50UPBF
IRG4PH50UPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:45 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRF9Z34NL
IRF9Z34NL,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Qg Typ=23.3nC,Rth(JC)=2.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=68W,Id@TC 25C=-19A...
GT60J323(Q)
GT60J323(Q),绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Toshiba,封装:TO-3P(LH)-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRFB7546
IRFB7546,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.3mOhms,Id=53A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGH40T65SPD_F155
FGH40T65SPD_F155,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 17...
FF100R12YT3
FF100R12YT3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:EASY2-9,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:140 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:075...
IRG8CH76K10F
IRG8CH76K10F,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=75A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4393-2
2N4393-2,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-206AA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IKP20N60H3XKSA1
IKP20N60H3XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRG4IBC30KD
IRG4IBC30KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220 FullPak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=9.2A,Vce(ON)@25C typ=2.21V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL6372
IRL6372,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=17.9mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGIB6B60KD
IRGIB6B60KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220 FullPak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7A,Vce(ON)@25C typ=1.80V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4650D-EPBF
IRGP4650D-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:76 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报...
IGW50N60H3FKSA1
IGW50N60H3FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRG4PSH71UDPBF
IRG4PSH71UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-274AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:99 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
BSM200GB170DLC
BSM200GB170DLC,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 62MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:400 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
STGW60V60DLF
STGW60V60DLF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFB260N
IRFB260N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM8363
IRFHM8363,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3 E封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=20.4mOhms,Rth(JA)=47C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML0060
IRLML0060,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=92.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562