FB15R06KL4_B1
FB15R06KL4_B1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:22-Pin EASY2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:22; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:19 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
IRG4CC50FB
IRG4CC50FB,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.45V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKQ120N60TXKSA1
IKQ120N60TXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:160 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175...
NE3514S02-T1C-A
NE3514S02-T1C-A,场效应晶体管,品牌:Renesas,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Moun...
IRF7799L2
IRF7799L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=250V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=38.0mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGF14NC60KD
STGF14NC60KD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:11 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
STGD5NB120SZT4
STGD5NB120SZT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:10 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,...
IRG7PH35UD1M
IRG7PH35UD1M,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=25A,Vce(ON)@25C typ=1.90V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-25MT060WFAPBF
VS-25MT060WFAPBF,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:MTP-16,参数:配置:Quad; 通道类型:N; 引脚数目:16; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389...
NGTB50N120FL2WG
NGTB50N120FL2WG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询...
ATF-58143-BLKG
ATF-58143-BLKG,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:100 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surfa...
IRFZ44NL
IRFZ44NL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=17.5mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IGW03N120H2
IGW03N120H2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:9.6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRF1010NS
IRF1010NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,Id=84A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP260M
IRFP260M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=50A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4IBC20KDPBF
IRG4IBC20KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220-3 Full-Pak,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:11.5 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:07...
IRF6218S
IRF6218S,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=150.0mOhms,Qg Typ=21.0nC,Rth(JC)=0.61K/W,Power Dissipation@TC 25C=250W,Id@TC 25C=-2...
PMBFJ177,215
PMBFJ177,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:20 mA; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
IRGB4620DPBF
IRGB4620DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:32 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及...
IRF7469
IRF7469,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=17.0mOhms,Id=9.0A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562