SKW20N60FKSA1
SKW20N60FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRF3708
IRF3708,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9Z34NS
IRF9Z34NS,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Qg Typ=23.3nC,Rth(JC)=2.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=68W,Id@TC 25C=19A,...
IRFB4115
IRFB4115,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,Id=104A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW50HF60SD
STGW50HF60SD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:110 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
IRLI520N
IRLI520N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=180.0mOhms,Id=7.7A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGH40N60SFDTU
FGH40N60SFDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRF1503S
IRF1503S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=190A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGB4045DPBF
IRGB4045DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRFH5301
IRFH5301,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.85mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3513M04-A
NE3513M04-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:60 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Su...
IRFR3708
IRFR3708,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=12.5mOhms,Id=61A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFI4020H-117P
IRFI4020H-117P,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,TO-220 Full-Pak 5-Pin封装,参数为:VBrdss=200V,VGs Max=20V,Rth(JA)=65C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS75R12KT3
FS75R12KT3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:28-Pin ECONO 2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:28; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:105 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请...
FZ3600R12KE3
FZ3600R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM190-9,参数:配置:Triple Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:4700 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; ...
IRF7807V
IRF7807V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7746
IRFB7746,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=10.6mOhms,Id=59A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR7546
IRFR7546,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.9mOhms,Id=71A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGS4607D
IRGS4607D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7.0A,Vce(ON)@25C typ=1.75V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-55143-TR1G
ATF-55143-TR1G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:100 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; ...