IRF3415
IRF3415,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42.0mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7488
IRF7488,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=80V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=29.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5015
IRFH5015,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=31.0mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW40H60DLFB
STGW40H60DLFB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55...
IRF9383M
IRF9383M,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.9mOhms,RDS(on) Max 4.5V=4.8mOhms,Qg Typ=130.0nC,Rth(JC)=1.1K/W,Power Dissipa...
FZ1600R17KE3
FZ1600R17KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM130-7,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:2300 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRLML6401
IRLML6401,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-12V,VGs=8V,RDS(on) Max 4.5V=50.0mOhms,Qg Typ=10.0nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK170BL(F)
2SK170BL(F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:12 mA; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
STGB30H60DF
STGB30H60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 t...
FS100R12KT3
FS100R12KT3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:42-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:42; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:140 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:075...
IRFB3207Z
IRFB3207Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.1mOhms,Id=170A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFIZ48N
IRFIZ48N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP3006
IRFP3006,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FF450R17ME4
FF450R17ME4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-11,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:11; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:600 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:...
STGWT30H65FB
STGWT30H65FB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 t...
SI4420DY
SI4420DY,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZ300R12KE3G
FZ300R12KE3G,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:EUPEC-5,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:5; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:480 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:...
IRLTS6342
IRLTS6342,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG8CH97K10F
IRG8CH97K10F,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=100A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGB20NC60VT4
STGB20NC60VT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...