STGB20NB41LZ
STGB20NB41LZ,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:382 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:12 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:...
IRGPS60B120KD
IRGPS60B120KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-274AA封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=60A,Vce(ON)@25C typ=2.50V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM200GB170DLC
BSM200GB170DLC,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 62MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:400 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
ISL9V5036P3_F085
ISL9V5036P3_F085,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:360 V; 最大连续集电极电流:46 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:07...
IGA03N120H2XKSA1
IGA03N120H2XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:3 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:075...
STGE50NC60WD
STGE50NC60WD,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:ST Micro,封装:ISOTOP-4,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及...
6MS24017E33F33878NOS
6MS24017E33F33878NOSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:30-Pin A-MS3-1,参数:配置:Array 12; 通道类型:N; 引脚数目:30; 最大连续集电极电流:629 A; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF6665
IRF6665,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SH封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=62.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBFJ309
MMBFJ309,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:-25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG4PH50UDPBF
IRG4PH50UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:45 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
IRF5305S
IRF5305S,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Qg Typ=42.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=110W,Id@TC 25C=-31A,...
IRGC25B120UB
IRGC25B120UB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=3.37V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RGTH00TS65DGC11
RGTH00TS65DGC11,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Rohm,封装:TO-247N-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:85 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. ...
IRG8P60N120KD-EPBF
IRG8P60N120KD-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150...
FS75R12KS4
FS75R12KS4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:19-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:19; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
IRG4RC10KDTRPBF
IRG4RC10KDTRPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:9 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
NGTB40N60L2WG
NGTB40N60L2WG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报价及购...
IRF7311
IRF7311,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=29mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7PH30K10
IRG7PH30K10,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=23A,Vce(ON)@25C typ=2.05V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGFW80V60F
STGFW80V60F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3PF-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 ...