NGTB30N135IHRWG
NGTB30N135IHRWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1350 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报...
SGW30N60HSFKSA1
SGW30N60HSFKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
FZ250R65KE3NPSA1
FZ250R65KE3NPSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:6500 V; 最大连续集电极电流:250 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-50 to 125 ℃. 询报价...
FF600R12ME4
FF600R12ME4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-11,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:11; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:600 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:...
FGH40N60SMD
FGH40N60SMD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...
IRG4BC10UDPBF
IRG4BC10UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:8.5 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
GT30J324(Q)
GT30J324(Q),绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Toshiba,封装:TO-3PN-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IRF7341
IRF7341,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=55V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=65mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGA50T65SHD
FGA50T65SHD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3PN-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃....
IRF7463
IRF7463,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=8.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IHW15T120FKSA1
IHW15T120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF1407S
IRF1407S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.8mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-GB150TS60NPBF
VS-GB150TS60NPBF,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:INT-A-PAK-7,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:138 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
IRF8915
IRF8915,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=27mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7787
IRFH7787,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8mOhms,Id=68A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM3742-35SL
TIM3742-35SL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:20000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRG7CH54K10EF-R
IRG7CH54K10EF-R,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=1.90V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGS14C40LTRLP
IRGS14C40LTRLP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:370 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:10 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRGP4266D
IRGP4266D,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=90A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PSC71K
IRG4PSC71K,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Super 247 (TO-274AA)封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=60A,Vce(ON)@25C typ=1.83V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562