IRFH5006
IRFH5006,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.1mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGB40N60SM
FGB40N60SM,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRFB4410
IRFB4410,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=10.0mOhms,Id=96A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGB10B60KD
IRGB10B60KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=12A,Vce(ON)@25C typ=1.80V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU7740
IRFU7740,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-PAK封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.2mOhms,Id=87A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGB4060DPBF
IRGB4060DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRL2203NS
IRL2203NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,Id=116A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL7540
IRFSL7540,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.1mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK3557-6-TB-E
2SK3557-6-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大门源电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
STGB3NC120HDT4
STGB3NC120HDT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:14 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新...
ATF-551M4-TR2
ATF-551M4-TR2,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:Mini-PAK-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:100 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; ...
IRFZ48NS
IRFZ48NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=14.0mOhms,Id=64A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SGW25N120
SGW25N120,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:46 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
IRGB6B60KD
IRGB6B60KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7A,Vce(ON)@25C typ=1.80V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLMS2002
IRLMS2002,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGPF4533
FGPF4533,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220F-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:330 V; 最大连续集电极电流:0.2 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRF7307
IRF7307,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on)4.5V N-ch=50.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=90.0mOhms,RDS(on)2.7V N-ch=70.0mOhms,RDS(on)2.7V P-ch...
TIM5964-35SLA
TIM5964-35SLA,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:20000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-838975...
FF450R12ME3
FF450R12ME3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:ECONOD-11,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:11; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:600 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
IGP03N120H2
IGP03N120H2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:9.6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...