FGD3N60UNDF
FGD3N60UNDF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-55 to 150 ℃. ...
IRLH5034
IRLH5034,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9Z24NS
IRF9Z24NS,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=175.0mOhms,Qg Typ=12.7nC,Rth(JC)=3.3K/W,Power Dissipation@TC 25C=45W,Id@TC 25C=-12A...
TIM1213-8L
TIM1213-8L,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11C1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:10400 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFR3505
IRFR3505,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.0mOhms,Id=71A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS4610
IRFS4610,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=14.0mOhms,Id=73A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGWA19NC60HD
STGWA19NC60HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:52 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
FGA25S125P_SN00337
FGA25S125P_SN00337,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3PN-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1250 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to...
IRFR4615
IRFR4615,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42.0mOhms,Id=33A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4640-EPBF
IRGP4640-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:65 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价...
IGW30N60T
IGW30N60T,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
DF200R12KE3
DF200R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:5-Pin 62MM,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:5; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:295 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
IRF6217
IRF6217,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2400.0mOhms,Qg Typ=6.0nC,Rth(JC)=20K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FB15R06KL4_B1
FB15R06KL4_B1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:22-Pin EASY2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:22; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:19 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFS7437-7P
IRFS7437-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,Id=295A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF861A,215
BF861A,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
STGW60H65DF
STGW60H65DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:350 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...
IRLML6344
IRLML6344,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7807VPBF-1
IRF7807VPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-70MT060WSP
VS-70MT060WSP,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:MTP-16,参数:通道类型:N; 引脚数目:16; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:96 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562