TIM5964-4SL
TIM5964-4SL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11D1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:3500 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG4PC30KPBF
IRG4PC30KPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:28 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
APT11GF120KRG
APT11GF120KRG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Microsemi,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电...
IRFH7194
IRFH7194,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.4mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FF200R12KE4
FF200R12KE4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 62MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:240 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:...
J175_D26Z
J175_D26Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-838975...
2N5247
2N5247,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IKQ120N60TAXKSA1
IKQ120N60TAXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:160 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 17...
STGW30V60DF
STGW30V60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 t...
STGDL6NC60DIT4
STGDL6NC60DIT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:13 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
SGP07N120
SGP07N120,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:16.5 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRF7406
IRF7406,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=70.0mOhms,Qg Typ=39.3nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
IRFHM4231
IRFHM4231,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.4mOhms,Id=72A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6713S
IRF6713S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.0mOhms,Id=95A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR8743
IRLR8743,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.1mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-GA200HS60S1PBF
VS-GA200HS60S1PBF,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:INT-A-PAK-7,参数:配置:Quad; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:480 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:075...
IRG8CH29K10F
IRG8CH29K10F,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9328
IRF9328,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.9mOhms,RDS(on) Max 4.5V=19.7mOhms,Qg Typ=18.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
IRFS7534
IRFS7534,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=195A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4263-EPBF
IRGP4263-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:90 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...