STGW80H65FB-4
STGW80H65FB-4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-5...
IRGC50B120KB
IRGC50B120KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=2.15V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR1205
IRFR1205,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=27.0mOhms,Id=37A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFTS8342
IRFTS8342,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=19.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLI3705N
IRLI3705N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=10.0mOhms,Id=47A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM9391
IRFHM9391,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=25V,RDS(on) Max 10V=14.6mOhms,RDS(on) Max 4.5V=22.5mOhms,Qg Typ=32.0nC,Rth(JC)=3.8K/W,Power Dis...
IRG7PH37K10D
IRG7PH37K10D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=25A,Vce(ON)@25C typ=1.90V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IHW40N60T
IHW40N60T,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRFSL3806
IRFSL3806,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.8mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBFJ270_R1_00001
MMBFJ270_R1_00001,场效应晶体管,品牌:Panjit,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IRF7905
IRF7905,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=21.3mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGB3040CS
FGB3040CS,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-263-7,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:370 V; 最大连续集电极电流:21 A; 最大栅极发射极电压:±12 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRFR5305
IRFR5305,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=65.0mOhms,Qg Typ=42.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=89W,Id@TC 25C=-28A,库存...
IRF7416Q
IRF7416Q,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=20.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=35.0mOhms,Qg Typ=61.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0...
MMBFJ110
MMBFJ110,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SuperSOT-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
NGTB50N60SWG
NGTB50N60SWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报价及购...
VS-CPV364M4KPBF
VS-CPV364M4KPBF,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:IMS-2-13,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:13; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:24 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:07...
IRG4PF50WD
IRG4PF50WD,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=900V,Ic@100C=28A,Vce(ON)@25C typ=2.25V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FP100R07N3E4
FP100R07N3E4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-43,参数:配置:Array 7; 通道类型:N; 引脚数目:43; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:100(Typ) A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报...
SGP20N60XKSA1
SGP20N60XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...