F3L300R07PE4
F3L300R07PE4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-21,参数:配置:Quad; 通道类型:N; 引脚数目:21; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:300 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:...
RJH1BF7RDPQ-80#T2
RJH1BF7RDPQ-80#T2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:TO-247,参数:配置:Single; 最大集电极发射极电压:1100 V; 最大连续集电极电流:60 A; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG7PH44K10DPBF
IRG7PH44K10DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ℃. ...
IRF7103Q
IRF7103Q,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=50V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=200mOhms,Rth(JA)=50C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGF20H60DF
STGF20H60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃....
IRF7103
IRF7103,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=50V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=200mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3509M04-T2-A
NE3509M04-T2-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:60 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式...
IRF7306
IRF7306,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=160mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM3742-30SL-341
TIM3742-30SL-341,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:20000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRGP6630D
IRGP6630D,IGBT模块(8-30kHz),由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=30A,Vce(ON)@25C typ=1.65V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7413PBF-1
IRF7413PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR4105Z
IRFR4105Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=24.5mOhms,Id=30A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGS4620DTRLPBF
IRGS4620DTRLPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:32 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价...
IRG4RC10U
IRG4RC10U,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=5A,Vce(ON)@25C typ=2.15V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6811S
IRF6811S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,参数为:VBrds=25V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=3.7mOhms,Id=74A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF4119
MMBF4119,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRL3713
IRL3713,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.0mOhms,Id=200A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3210S01-T1B
NE3210S01-T1B,场效应晶体管,品牌:Renesas,封装:Case-4 S01,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询...
IRLR3105
IRLR3105,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=37.0mOhms,Id=25A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGP19NC60SD
STGP19NC60SD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...