注册账号 | 忘记密码
IRF1018E,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=79A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SN74LVC2G125DCUR低功耗CMOS逻辑IC由TI...
74HC245PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
SN74HC00DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用...
SN74HC594DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采...
74AHC32D先进高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采...
ATMEGA16A-PU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产...
74HC4066PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采...
74HCT08PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
AT25080AN-10SU27存储器,存储芯片由ATMEL...